Разработанная Infineon новая серия диодов ESD5V3L1B значительно повышает устойчивость системы к электростатическому разряду (ESD), способному привести к отказу компонентов или возникновению скрытых дефектов в смартфонах, планшетных ПК, портативных компьютерах и других устройствах бытовой электроники в процессе их повседневного использования.
Эти новые полупроводниковые приборы специально предназначены для защиты чувствительных внутренних электронных цепей, подсоединенных к внешним разъемам, например, для наушников, клавиатур и сенсорных дисплеев.
Пример применения: защита линий передачи данных от электростатического разряда с помощью диодов ESD5V3L1B (в клавиатуре)
Особенности
- Высокая устойчивость к электростатическому разряду – контактный разряд в линии ±20,000 В в соответствии со стандартом IEC 61000-4-2.
- Лучшее в своем классе ограничение напряжения благодаря низкому динамическому сопротивлению, составляющему всего 0.22 Ом
- Низкий ток утечки стока идеально подходит для устройств с питанием от батарей
- Миниатюрный форм-фактор (до 0.62 × 0.32 мм) позволяет экономить место на печатных платах с высокой плотностью монтажа
- Высота корпуса 0.31 мм идеально подходит для «плоских» электронных устройств
Применение
- Линии с разъемами для подключения наушников
- Динамики и аудиоканалы
- Устройства для взаимодействия человека и компьютера: клавишные панели, клавиатуры, сенсорные экраны
- Шины питания и низкоскоростные интерфейсы
