РадиоЛоцман - Все об электронике

Mitsubishi Electric запускает в производство гибридные карбид-кремниевые диоды Шоттки

Mitsubishi BD20060S BD20060T

Снижают потери мощности и физические размеры источников питания

Компания Mitsubishi Electric сообщила о начале промышленного производства гибридных карбид-кремниевых диодов Шоттки (SiC-SBD), конструкция которых основана на сочетании барьера Шоттки с p-n переходом (JBS). Выпрямители подобной структуры эффективно снижают потери мощности и физические размеры источников питания кондиционеров, фотоэлектрических энергетических систем и многих других устройств.

Mitsubishi - BD20060T Mitsubishi - BD20060S
BD20060T. BD20060S.

Особенности приборов

1) Карбид кремния способствует снижению потребляемой мощности и размеров

  • Благодаря более высокой эффективности преобразования энергии, потери мощности снижаются приблизительно на 21% по сравнению с приборами на основе кремния;
     
  • Повышенная частота переключения позволяет использовать внешние компоненты меньших размеров;

2) JBS структура повышает надежность

  • Сочетание барьера Шоттки с p-n переходом;
     
  • Структура JBS способствует достижению более высокой надежности.

Основные технические характеристики

Прибор BD20060T BD20060S
Классификационные параметры 20 А/600 В
Неповторяющийся прямой импульсный ток 155 А (8.3 мс, синусоидальная форма)
Прямое напряжение диода 1.35 В
Корпус TO-220 TO-247
Размеры 10.1 × 29.0 × 4.7 мм 15.9 × 41.0 × 5.0 мм

Со времени выпуска в 2010 году первых коммерческих модулей с SiC устройствами, Mitsubishi Electric не прекращает работу над миниатюризацией и повышением энергоэффективности инверторных систем. В соответствии с растущими потребностями в энергоэффективных системах питания кондиционеров, фотоэлектрических энергетических систем и других устройств, потребители все чаще выбирают продукты, основанные на карбиде кремния.

Экологические аспекты

Диоды соответствуют требованиям Директивы 2011/65/EU по ограничению использования опасных веществ в электрическом и электронном оборудовании (RoHS).

Создание этих устройств частично поддерживалась японской Организацией по разработке новой энергетической и промышленной технологии (NEDO).

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Mitsubishi Electric to Launch Silicon-carbide Schottky-barrier Diode

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя