Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

07-08-2018

Infineon освоила производство новых 1200-вольтовых IGBT на 12-дюймовых пластинах

Infineon

Infineon Technologies приступила к производству 1200-вольтовых IGBT нового поколения TRENCHSTOP IGBT6. Это первые на рынке дискретные IGBT с обратным диодом, изготавливаемые на 12-дюймовых пластинах. Новая технология изготовления IGBT разработана для удовлетворения растущих требований потребителей к высокой эффективности и высокой плотности мощности. Новое семейство транзисторов оптимизировано для использования в коммутационных и резонансных топологиях на частотах переключения от 15 кГц до 40 кГц. Типичными областями применения IGBT6 будут источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, зарядные устройства для аккумуляторов и накопители энергии.

Infineon - TRENCHSTOP IGBT6

Новое семейство 1200-вольтовых TRENCHSTOP IGBT6 представлено двумя сериями. В приборах серии S6 реализовано наилучшее соотношение низкого напряжения насыщения 1.85 В и низких потерь переключения. Приборы серии H6 оптимизированы для минимальных потерь переключения. Испытания транзисторов в реальной аппаратуре подтвердили, что прямая замена IGBT предыдущего поколения Highspeed3 на IGBT6 серии S6 обеспечивает выигрыш в КПД, составляющий 0.2%. Положительный температурный коэффициент позволяет легко и надежно соединять несколько транзисторов параллельно. Кроме того, очень хорошая управляемость сопротивления затвора дает возможность регулировать скорость переключения IGBT в соответствии с требованиями соответствующего приложения.

Infineon - TRENCHSTOP IGBT6

Доступность

Транзисторы семейства TRENCHSTOP IGBT6 освоены в серийном производстве. В семейство вошли 15- и 40-амперные устройства в корпусах TO-247-3 с диодами, рассчитанными на половинный или полный ток транзистора. Наивысшая в отрасли плотность мощности для дискретных IGBT достигнута в 75-амперном приборе с 75-амперным обратным диодом, выпускаемом в корпусе TO-247PLUS с тремя или четырьмя выводами.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: First TRENCHSTOP 1200 V IGBT6 discrete produced on 12 inch wafer

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя
Новости по теме:
Новости  »
Infineon расширяет семейство 650-вольтовых IGBT, изготавливаемых по технологии TRENCHSTOP 5
Datasheet  »
Datasheet IKW08T120 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 8 А, TO-247
Datasheet  »
Datasheet FZ600R12KE3 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В
Datasheet  »
Datasheet IKA03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 3 А, TO-220
Datasheet  »
Datasheet IGB03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, 1200 В, 3 А, TO263

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Тепловизор Testo 875-1i
Тепловизор Testo 875-1i
матрица 160x120 пкс, NETD < 50 мК
Цена: от 190 000 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия
Рейтинг@Mail.ru