Сегодня перед российской авиационной промышленностью в условиях санкций, запретивших поставки новых и обслуживание используемых иностранных самолетов, поставлена задача нарастить долю отечественных лайнеров с нынешних 33% до 81% и осуществить ...
Новое устройство обеспечивает двунаправленную передачу мощности в приложениях USB Toshiba Electronics Europe выпустила свой первый 30-вольтовый сдвоенный n-канальный MOSFET с объединенными стоками. Новый прибор SSM10N961L обеспечивает работу с ...
New device offers bi-directional power within USB applications Toshiba Electronics Europe has launched their first 30 V N-channel common-drain MOSFET. The new SSM10N961L device offers low-loss operation and is specifically intended for use within ...
В 2019 году на всей территории Российской Федерации завершился переход с аналогового на цифровой формат телевещания. Произошло это в рамках федеральной целевой программы Развитие телерадиовещания в Российской Федерации на 2009-2018 годы , которая ...
Воронежский НИИ электронной техники сообщает о начале приема заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы серии ТНГ-К на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах. Нитрид-галлиевая технология одно из наиболее ...
Транзисторы предназначены для работы в S-диапазоне частот и характеризуются выходной мощностью 14 и 90 Вт при компрессии коэффициента усиления на 1 дБ при напряжении питания 40 В в диапазоне частот 2.9-3.2 ГГц и изготавливаются в ...
Компания EPC представила 150- и 200-вольтовые GaN МОП-транзисторы EPC2305 и EPC2304 с сопротивлениями открытых каналов 3 мОм и 5 мОм, соответственно, в корпусах QFN размером 3 мм × 5 мм со сниженным тепловым сопротивлением и открытым ...
EPC introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm × 5 mm footprint. These devices are the lowest on-resistance (R DS(on) ) FETs in the market at 150 ...
Воронежский НИИ электронной техники приступил к реализации нового комплексного проекта Разработка и освоение в серийном производстве серии 32-разрядных микроконтроллеров с использованием программы субсидирования в соответствии с постановлением ...
В новом выпуске Делает и показывает НИИЭТ инженер-технолог III категории Павел Пролубников познакомит вас с силовыми транзисторами по технологии GaN на кремнии. Вы узнаете, какими преимуществами обладают данные транзисторы и в каких сферах ...
Vishay Intertechnology introduced a new AEC-Q200 qualified charging resistor that is the industry’s first such device to feature hybrid wirewound technology in a standard package size. With a high operating temperature range up to +250 C, the ...
В прошлом году воронежский Научно-исследовательский институт электронной техники отметил свой 60-летний юбилей. Но и 2022 год для предприятия тоже юбилейный: 40 лет назад НИИЭТ начал проводить испытания электронной компонентной базы. Сравнительно ...
