Новости - Силовая электроника - 8

Управление электродвигателями, мощными электрическими нагрузками.

71. Infineon выпускает первый в мире 1200-вольтовый SiC силовой модуль в формованном пластиковом корпусе
    Драйверы Силовая электроника Infineon IM828-XCC
    Infineon Technologies выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) интегрированный силовой модуль (integrated power module IPM) в формованном пластиковом корпусе, завершив тем самым свою программу массового внедрения SiC решений на 2020 год. ...

    CoolSiC CIPOS Maxi: World's first 1200 V transfer molded IPM with SiC

    Infineon Technologies has launched a 1200 V transfer molded silicon carbide (SiC) integrated power module (IPM) and concludes the massive roll-out of SiC solutions for this year. The CIPOS™ Maxi IPM IM828 series is the industry’s first ...

    10 декабря 2020
72. Vishay выпускает 600-вольтовый MOSFET с лучшим в отрасли фактором качества
    Дискретные компоненты Силовая электроника Vishay SiHH070N60EF
    N-канальное устройство четвертого поколения, снижая потери проводимости и переключения, увеличивает КПД системы питания Vishay Intertechnology дополнила новым устройством семейство 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения серии EF с ...

    Vishay Intertechnology 600 V EF Series Fast Body Diode MOSFET Delivers Industry-Low R_DS(ON)*Q_g FOM for Power Conversion Applications

    Fourth-Generation N-Channel Device Lowers Conduction and Switching Losses, Increases Efficiency Vishay Intertechnology introduced a new device in its fourth generation of 600 V EF Series fast body diode MOSFETs. Providing high efficiency for ...

    7 декабря 2020

73. Ampleon анонсирует оптимизированный по стоимости 250-ваттный LDMOS транзистор для приложений диапазона 2.45 ГГц
    Радиочастотные компоненты Дискретные компоненты Силовая электроника Ampleon BLP2425M10S250P
    Ampleon анонсировала выпуск мощного 250-ваттного радиочастотного транзистора BLP2425M10S250P для твердотельных систем приготовления пищи, а также для промышленных, научных и медицинских (ISM) приложений, использующих диапазон частот от 2400 МГц до ...

    Ampleon cost-optimised 250W LDMOS for 2.45GHz ISM applications and solid-state cooking

    Ampleon announced the BLP2425M10S250P , a 250 W RF power transistor for solid-state cooking and industrial, scientific and medical (ISM) applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency band. Using Ampleon’s tenth-generation LDMOS process, ...

    30 ноября 2020
74. EPC выпускает 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор с лучшими характеристиками в своем классе приборов
    Дискретные компоненты Силовая электроника EPC EPC2059
    EPC предлагает разработчикам 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059 с сопротивлением открытого канала 6.8 мОм более миниатюрный, эффективный, надежный и дешевый, чем устройства, доступные в настоящее время Новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор ...

    EPC Launches 170 V eGaN FET Offering Best-in-Class Synchronous Rectification Performance and Cost to Seize High End Server and Consumer Power Supply Applications

    EPC introduces 170 V, 6.8 milliohm EPC2059 eGaN® FET, offering designers a device that is smaller, more efficient, more reliable, and lower cost than currently available devices for high performance 48 V synchronous rectification. Efficient ...

    22 ноября 2020

75. Infineon добавляет 40-вольтовый прибор к семейству MOSFET в корпусах SD PQFN
    Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon IQE013N04LM6 IQE013N04LM6CG
    Для достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным ...

    Infineon adds 40 V device in PQFN to its OptiMOS Source-Down power MOSFET family

    Contemporary power system designs demand high power density levels and small form factors to maximize system-level performance. Infineon Technologies tackles this challenge by focusing on system innovation with enhancements on the component level. ...

    2 ноября 2020
76. Toshiba выпускает новый карбидокремниевый MOSFET с допустимым напряжением стока 1200 В
    Дискретные компоненты Высоковольтные Силовая электроника Toshiba TW070J120B
    Устройство позволяет значительно сократить потери, повысив, тем самым, КПД преобразователей энергии Toshiba Electronics Europe выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) MOSFET для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники ...

    Toshiba Launches 1200 V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

    Device offers significantly reduced losses thereby increasing power solution efficiency Toshiba Electronics Europe has launched a 1200 V silicon carbide (SiC) MOSFET for high power industrial applications including 400 V AC input AC-DC power ...

    27 октября 2020
77. Высокоточный линейный усилитель мощности обеспечивает новый уровень плотности мощности, ранее недоступный для форм-фактора SIP
    Усилители Высоковольтные Силовая электроника Apex PA22
    Выпущенное Apex Microtechnology устройство PA22 устанавливает новый стандарт характеристик усилителей мощности, используемых в различных приложениях, требующих высокого быстродействия и кратковременного рассеивания большой мощности. Это устройство ...

    High Precision Linear Power Amplifier Delivers New Levels of Power Density Yet Unseen in SIP Form-Factor

    The PA22 from Apex Microtechnology establishes a new benchmark in power amplifier performance for a variety of applications where high speed and short-term power dissipation is a must. With this device, designers are offered exceptional power ...

    15 сентября 2020
78. EPC вдвое улучшает характеристики своего семейства 200-вольтовых eGaN полевых транзисторов
    Дискретные компоненты Силовая электроника EPC EPC2215 EPC2207
    Эти 200-вольтовые eGaN полевые транзисторы нового поколения идеальны для синхронных выпрямителей с выходным напряжением 48 В, аудиоусилителей класса D, солнечных микроинверторов и оптимизаторов, а также многоуровневых высоковольтных AC/DC ...

    EPC Doubles the Performance of its 200 V eGaN FET Family

    These new generation 200 V eGaN® FETs are ideal for 48 V OUT synchronous rectification, class-D audio, solar microinverters and optimizers, and multilevel, high-voltage AC/DC converters EPC advances the performance capability while lowering the ...

    14 сентября 2020
79. Alpha and Omega Semiconductor анонсирует новый MOSFET с расширенной областью безопасной работы для 12-вольтовых приложений горячей замены
    Дискретные компоненты Силовая электроника Alpha & Omega AONS32310
    Alpha and Omega Semiconductor анонсировала выпуск 30-вольтового MOSFET AONS32310 с низким сопротивлением открытого канала и широкой областью безопасной работы (Safe Operating Area, SOA), который идеально подходит для таких ответственных приложений, ...

    Alpha and Omega Semiconductor Announces a New High SOA MOSFET for 12V Hot Swap Applications

    Alpha and Omega Semiconductor announced the release of, AONS32310 , a 30 V MOSFET with low on-resistance and a high Safe Operating Area (SOA) capability which is ideally suited for demanding applications such as hot swap and e-fuse. A high SOA is ...

    8 сентября 2020
80. Navitas выпускает новую серию 650-вольтовых силовых GaN микросхем
    Электронные компоненты Силовая электроника Navitas NV6123 NV6125 NV6127
    Новые силовые микросхемы GaNFast со встроенным теплоотводом сделают зарядные устройства еще более быстрыми и миниатюрными Navitas Semiconductor объявила о выпуске новой серии 650-вольтовых силовых микросхем семейства GaNFast в корпусах PQFN с ...

    Navitas Drives a Cool Fast-Charger Upgrade

    New GaNFast Power ICs with Integrated Cooling Pad Enable Even Faster Charging in Smaller Sizes Navitas Semiconductor announced a new range of 650 V-rated GaNFast power ICs in 6 × 8 mm PQFN packaging with a proprietary, integrated cooling pad ...

    15 июля 2020