Новости - Силовая электроника - 8

Управление электродвигателями, мощными электрическими нагрузками.

71. Navitas наращивает мощность с помощью нитрида галлия
    Драйверы Питание Силовая электроника Navitas NV6128
    Новая GaNFast микросхема забирает еще часть рынка старых медленных кремниевых чипов Navitas Semiconductor сообщила о появлении в семействе GaNFast новой 650-вольтовой силовой микросхемы NV6128 , предназначенной для устройств мощной мобильной и ...

    Navitas Cranks Up the Power with Gallium Nitride

    66% more power GaNFast IC takes a bigger bite from the old, slow silicon chip market. Navitas Semiconductor announced the NV6128 , a new high-power 650V/800V-rated GaNFast power IC to address the high-power mobile and consumer power electronics ...

    16 февраля 2021
72. Концерн «Автоматика» разрабатывает серверные источники питания на основе платформы «Титан»
    Силовая электроника
    Компания Калугаприбор в кооперации с Калужским электромеханическим заводом, входящие в концерн Автоматика , приступили к разработке серии мощных источников вторичного электропитания для различного серверного и телекоммуникационного оборудования. ...
    29 января 2021

73. Vishay выпускает 100-вольтовый p-канальный автомобильный MOSFET с лучшим в своем классе сопротивлением открытого канала
    Дискретные компоненты Авто Силовая электроника Vishay SQJ211ELP
    Первое в отрасли устройство в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5 мм × 6 мм с выводами типа крыло чайки с сопротивлением открытого канала всего 30 мОм Vishay Intertechnology представила новый p-канальный TrenchFET MOSFET, отвечающий ...

    Vishay Intertechnology Delivers Best in Class On-Resistance Automotive Grade AEC-Q101 Qualified -100 V P-Channel MOSFET

    Industry-First Device in Compact 5 mm × 6 mm PowerPAK® SO-8L Package With Gullwing Leads Offers On-Resistance Down to 30 mΩ Vishay Intertechnology introduced a new AEC-Q101 qualified p-channel 100 V TrenchFET® MOSFET designed to ...

    13 января 2021
74. Alpha and Omega Semiconductor анонсирует новые MOSFET с широкой областью безопасной работы
    Дискретные компоненты Силовая электроника Alpha & Omega AOTL66518 AOB66518L
    Alpha and Omega Semiconductor (AOS) объявила о выпуске новых 150-вольтовых MOSFET AOTL66518 и AOB66518L с низкими сопротивлениями открытых каналов и широкой областью безопасной работы (SOA), предназначенных для приложений горячей замены в ...

    Alpha and Omega Semiconductor Announces New High SOA MOSFETs for 48 V Hot Swap Telecom Applications

    Alpha and Omega Semiconductor announced the release of, AOTL66518 and AOB66518L , a 150 V MOSFET with low on-resistance and a high Safe Operating Area (SOA) capability designed for demanding applications in Telcom Hot Swap. AOS designed these ...

    29 декабря 2020

75. Медиагруппа «Электроника» объявляет о приеме подписки на 2021 год на журналы «Компоненты и технологии» и «Силовая электроника»
    Электронные компоненты Силовая электроника
    Медиагруппа Электроника приглашает вас оформить подписку на 2021 год на ведущие журналы электронной отрасли. Вы можете оформить подписку онлайн с оплатой банковской картой, либо отправив запрос по e-mail в редакцию. Компоненты и технологии ...
    16 декабря 2020
76. Infineon выпускает первый в мире 1200-вольтовый SiC силовой модуль в формованном пластиковом корпусе
    Драйверы Силовая электроника Infineon IM828-XCC
    Infineon Technologies выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) интегрированный силовой модуль (integrated power module IPM) в формованном пластиковом корпусе, завершив тем самым свою программу массового внедрения SiC решений на 2020 год. ...

    CoolSiC CIPOS Maxi: World's first 1200 V transfer molded IPM with SiC

    Infineon Technologies has launched a 1200 V transfer molded silicon carbide (SiC) integrated power module (IPM) and concludes the massive roll-out of SiC solutions for this year. The CIPOS™ Maxi IPM IM828 series is the industry’s first ...

    10 декабря 2020
77. Vishay выпускает 600-вольтовый MOSFET с лучшим в отрасли фактором качества
    Дискретные компоненты Силовая электроника Vishay SiHH070N60EF
    N-канальное устройство четвертого поколения, снижая потери проводимости и переключения, увеличивает КПД системы питания Vishay Intertechnology дополнила новым устройством семейство 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения серии EF с ...

    Vishay Intertechnology 600 V EF Series Fast Body Diode MOSFET Delivers Industry-Low R_DS(ON)*Q_g FOM for Power Conversion Applications

    Fourth-Generation N-Channel Device Lowers Conduction and Switching Losses, Increases Efficiency Vishay Intertechnology introduced a new device in its fourth generation of 600 V EF Series fast body diode MOSFETs. Providing high efficiency for ...

    7 декабря 2020
78. Ampleon анонсирует оптимизированный по стоимости 250-ваттный LDMOS транзистор для приложений диапазона 2.45 ГГц
    Радиочастотные компоненты Дискретные компоненты Силовая электроника Ampleon BLP2425M10S250P
    Ampleon анонсировала выпуск мощного 250-ваттного радиочастотного транзистора BLP2425M10S250P для твердотельных систем приготовления пищи, а также для промышленных, научных и медицинских (ISM) приложений, использующих диапазон частот от 2400 МГц до ...

    Ampleon cost-optimised 250W LDMOS for 2.45GHz ISM applications and solid-state cooking

    Ampleon announced the BLP2425M10S250P , a 250 W RF power transistor for solid-state cooking and industrial, scientific and medical (ISM) applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency band. Using Ampleon’s tenth-generation LDMOS process, ...

    30 ноября 2020
79. EPC выпускает 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор с лучшими характеристиками в своем классе приборов
    Дискретные компоненты Силовая электроника EPC EPC2059
    EPC предлагает разработчикам 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор EPC2059 с сопротивлением открытого канала 6.8 мОм более миниатюрный, эффективный, надежный и дешевый, чем устройства, доступные в настоящее время Новый 170-вольтовый eGaN МОП-транзистор ...

    EPC Launches 170 V eGaN FET Offering Best-in-Class Synchronous Rectification Performance and Cost to Seize High End Server and Consumer Power Supply Applications

    EPC introduces 170 V, 6.8 milliohm EPC2059 eGaN® FET, offering designers a device that is smaller, more efficient, more reliable, and lower cost than currently available devices for high performance 48 V synchronous rectification. Efficient ...

    22 ноября 2020
80. Infineon добавляет 40-вольтовый прибор к семейству MOSFET в корпусах SD PQFN
    Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon IQE013N04LM6 IQE013N04LM6CG
    Для достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным ...

    Infineon adds 40 V device in PQFN to its OptiMOS Source-Down power MOSFET family

    Contemporary power system designs demand high power density levels and small form factors to maximize system-level performance. Infineon Technologies tackles this challenge by focusing on system innovation with enhancements on the component level. ...

    2 ноября 2020