ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Дискретные
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИИИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Производители
НовостиДискретные компоненты

Новости - Дискретные компоненты - 6

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 462 Вывод: 51-60
  1. НИИЭТ запатентовал инновационную топологию транзисторной структуры
    Радиочастотные компоненты Дискретные компоненты НИИЭТ ПП9139Б1
    АО НИИЭТ продолжает расширять номенклатуру мощных СВЧ GaN-транзисторов. Предприятие получило патент на топологию 100-ваттной GaN-транзисторной структуры L-, S- диапазонов частот с напряжением питания 28 В со сложной структурой затворной шины. Об ...
    06-10-2020
  2. Vishay представляет 200-вольтовый n-канальный MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала
    Дискретные компоненты Vishay SiSS94DN
    Устройство в корпусе площадью 10.89 мм 2 имеет типовое сопротивление открытого канала 61 мОм и показатель качества 854 мОм нКл Vishay Intertechnology представила новый 200-вольтовый n-канальный MOSFET с самым низким в отрасли типовым сопротивлением ...
    Vishay Intertechnology 200 V N-Channel MOSFET in PowerPAK 1212‑8S Offers Industry-Low RDS(ON) to Increase Power Density, Save Energy
    TrenchFET® Device Offers Typical RDS(ON) of 61 mΩ and FOM of 854 mΩ nC in 10.89 mm 2 Package Vishay Intertechnology introduced a new 200 V n-channel MOSFET that offers industry-low typical on-resistance of 61 mΩ at 10 V in the ...
    28-09-2020
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Bourns представляет серию высокотемпературных дросселей для шины CAN
    Дискретные компоненты Авто Bourns SRF4530A
    Новая серия синфазных чип дросселей SRF4530A является оптимальным решением для подавления помех в широком спектре приложений высокотемпературной электроники Bourns представила новую серию синфазных чип дросселей для шины CAN. Новые дроссели, ...
    Bourns Introduces AEC-Q200 Compliant CANbus Inductor Series
    New SRF4530A Series Common Mode Chip Inductors are Optimal Noise Suppression Solutions for a Broad Range of High Temperature Electronics Applications Bourns, Inc. introduced a new CANbus Common Mode Chip Inductor series. The new AEC-Q200 compliant ...
    17-09-2020
  2. EPC вдвое улучшает характеристики своего семейства 200-вольтовых eGaN полевых транзисторов
    Дискретные компоненты Силовая электроника EPC EPC2215 EPC2207
    Эти 200-вольтовые eGaN полевые транзисторы нового поколения идеальны для синхронных выпрямителей с выходным напряжением 48 В, аудиоусилителей класса D, солнечных микроинверторов и оптимизаторов, а также многоуровневых высоковольтных AC/DC ...
    EPC Doubles the Performance of its 200 V eGaN FET Family
    These new generation 200 V eGaN® FETs are ideal for 48 V OUT synchronous rectification, class-D audio, solar microinverters and optimizers, and multilevel, high-voltage AC/DC converters EPC advances the performance capability while lowering the ...
    14-09-2020
  1. Alpha and Omega Semiconductor анонсирует новый MOSFET с расширенной областью безопасной работы для 12-вольтовых приложений горячей замены
    Дискретные компоненты Силовая электроника Alpha & Omega AONS32310
    Alpha and Omega Semiconductor анонсировала выпуск 30-вольтового MOSFET AONS32310 с низким сопротивлением открытого канала и широкой областью безопасной работы (Safe Operating Area, SOA), который идеально подходит для таких ответственных приложений, ...
    Alpha and Omega Semiconductor Announces a New High SOA MOSFET for 12V Hot Swap Applications
    Alpha and Omega Semiconductor announced the release of, AONS32310 , a 30 V MOSFET with low on-resistance and a high Safe Operating Area (SOA) capability which is ideally suited for demanding applications such as hot swap and e-fuse. A high SOA is ...
    08-09-2020
  2. Высокий КПД при высоких частоте и мощности? Транзисторы CoolGaN!
    Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon CoolSiC CoolGaN CoolMOS
    Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволяют преодолевать ограничения, ...
    02-09-2020
  3. Toshiba анонсирует компактные N-канальные MOSFET для автомобильной электроники
    Дискретные компоненты Toshiba XPN12006NC XPN3R804NC XPN6R706NC XPN7R104NC
    Устройства, сертифицированные на соответствие требованиям стандартов автоэлектроники, снижают энергопотребление для повышения топливной экономичности автомобиля Toshiba Electronics Europe разработала серию новых высокоэффективных N-канальных MOSFET ...
    Toshiba Announces Compact Low ON-Resistance N-Channel MOSFETs for automotive
    Automotive-qualified devices curb power consumption to boost vehicle fuel economy Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba) has developed a series of new high-efficiency N-channel MOSFETs for automotive applications that are based on the ...
    01-09-2020
  4. Vishay анонсирует 30-вольтовый p-канальный MOSFET с самым низким в мире сопротивлением канала
    Дискретные компоненты Vishay SiRA99DP
    Устройство, предлагаемое в корпусе PowerPAK SO-8, имеет лучшее в своем классе произведение заряда затвора на сопротивление открытого канала Vishay Intertechnology представила первый в мире мощный 30-вольтовый p-канальный MOSFET, имеющий ...
    Vishay Intertechnology -30 V P-Channel MOSFET Offers Industry-Low 1.7 mΩ RDS(ON) for High Efficiency, Power Density
    Offered in PowerPAK® SO-8 Single Package, Device Features Best in Class Gate Charge Times R DS(ON) FOM Vishay Intertechnology introduced the first-ever -30 V p-channel power MOSFET to offer on-resistance of 1.7 mΩ at 10 V. With its ...
    27-08-2020
  5. Diodes анонсирует цифровой аудио усилитель с эквалайзером и управлением динамическим диапазоном
    Дискретные компоненты Diodes PAM8823
    Компания Diodes представила высокоэффективный цифровой аудио усилитель класса D PAM8823 с выходной мощностью 25 Вт в режиме стерео и 50 Вт в режиме моно, имеющий вход I 2 S и предназначенный для управления стереодинамиками, соединенными мостом. При ...
    Diodes Incorporated announces 25Wx2 Stereo/50Wx1 Mono Digital Audio Amplifier with EQ & DRC
    Diodes Incorporated announced a high efficiency, Stereo 25 W / Mono 50 W Class D digital audio amplifier PAM8823 with I 2 S input to drive stereo bridge-tied speakers. The PAM8823 is capable of driving Stereo 25 W (BTL) each to a pair of 8 Ω ...
    26-08-2020
  6. Diodes выпускает сдвоенные PNP транзисторы, оптимизированные для управления светодиодными кластерами
    Дискретные компоненты Авто Светотехника Diodes ZXTP56020FDBQ ZXTP56060FDBQ
    Компания Diodes объявила о выпуске сдвоенных PNP транзисторов ZXTP56060FDBQ и ZXTP56020FDBQ , соответствующих требованиям стандартов автомобильной электроники. Эти новые продукты предоставляют OEM-производителям высокоэффективное решение для ...
    Diodes Incorporated Optimizes PNP Transistors for Automotive Matrix LED Lighting
    Diodes Incorporated announced the availability of the automotive-compliant ZXTP56060FDBQ and ZXTP56020FDBQ dual PNP transistors. These new products provide OEMs with a highly efficient solution for controlling matrix LED light clusters. The ...
    04-08-2020
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Срезы
Термогигрометры Ivit - замена психрометров