Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Новости: Радиочастотные компоненты

Найдено: 298   Вывод: 91-100
  1. На одном кристалле изготовленного по технологии UltraCMOS ключа PE42020 интегрированы радиочастотные, цифровые и аналоговые цепи, обеспечивающие целостность сигналов в диапазоне от постоянного тока до 8 ГГц Компания Peregrine Semiconductor сообщила ...
    The UltraCMOS® PE42020 Integrates RF, Digital and Analog Functions in a Monolithic Die to Preserve Signal Integrity From DC to 8 GHz Peregrine Semiconductor announces the availability of the UltraCMOS® PE42020, the industry’s first ...
    04-02-2015
  2. Z-Communications анонсировала новый модуль ГУН (генератор, управляемый напряжением), отвечающий предписаниям директивы RoHS. Частота модуля V480MEM2-LF перестраивается в диапазоне 445 480 МГц при изменении управляющего напряжения от 0.5 до 2.5 В. ...
    Z-Communications, Inc. announces a new RoHS compliant VCO (Voltage Controlled Oscillator) model V480MEM2-LF. The V480MEM2-LF operates at 445 to 480 MHz with a tuning voltage range of 0.5 to 2.5 Vdc. This high performance VCO features a spectrally ...
    14-01-2015
  3. NXP Semiconductors announced the world’s first true one-chip solution for smart car access, combining Passive Keyless Entry (PKE), RF transmitter for remote control and immobiliser in a HVQVN32 package the NCF29A1 . As the global market ...
    12-01-2015
  4. Компания Lime Microsystems вновь потрясла рынок компонентов, начав поставку второго поколения программируемых пользователем радиочастотных устройств (FPRF). FPRF содержит сдвоенные приемопередатчики, покрывающие частотный диапазон от 0.1 до 3800 ...
    Lime Microsystems has again shaken up the RF market by commencing shipping the second generation Field Programmable Radio Frequency (FPRF) devices. The FPRF contains dual transceivers that cover the frequency range 0.1 to 3800 MHz. The fully ...
    23-12-2014
  5. Обусловленный необходимостью поддержки постоянно расширяющегося списка приложений рост числа беспроводных стандартов и используемых частотных диапазонов, побуждает компанию STMicroelectronics (ST) учитывать эти требования, повышая степень ...
    As the number of wireless standards and frequency bands grow to support an ever-expanding number of applications, STMicroelectronics is supporting both the demand for higher performance and integration. The introduction of the STW81200 RF ...
    04-12-2014
  6. NXP and five major partners (E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH, Huber+Suhner, ITW, Rogers Corporation and Whirlpool Corporation) have formed the RF Energy Alliance to spearhead the ecosystem for emerging RF Energy applications. Together, the ...
    12-10-2014
  7. PTVA030121EA , PTVA120251EA и PTVA120501EA новейшие представители семейства 50-В LDMOS силовых ВЧ транзисторов компании Infineon , предназначенные для обеспечения превосходной надежности, эффективности и высокого усиления. Несогласованный ...
    PTVA030121EA , PTVA120251EA and PTVA120501EA , the newest members of Infineon's 50 V LDMOS RF power transistor family, are designed to deliver excellent ruggedness, high efficiency and high gain. The PTVA030121EA is an unmatched transistor capable ...
    04-10-2014
  8. PTAC240502FC новейшее дополнение к семейству ВЧ LDMOS-транзисторов Infineon , предназначенное для использования в диапазоне частот 2300 2400 МГц. Этот прибор с двумя асимметричными каналами (17 Вт + 33 Вт) позволяет создавать высокоэффективные ...
    PTAC240502FC is the latest addition to Infineon's RF LDMOS transistors for applications in the 2300-2400 MHz frequency band. This device provides two asymmetric paths (17 W+33 W) enabling high-efficiency and compact Doherty amplifier designs. With ...
    02-10-2014
  9. Конструкторы, создающие устройства Bluetooth Smart, смогут завершить свои проекты быстрее, сделать их характеристики лучше, а размеры меньше, воспользовавшись новым интегральным симметрирующим трансформатором BALF-NRG-01D3 , разработанным компанией ...
    Designers building Bluetooth Smart® devices or modules can accelerate project completion, maximize system performance, and minimize solution size using STMicroelectronics ’ new integrated balun, the BALF-NRG-01D3 . As a companion chip to ...
    01-10-2014
  10. Разработанная компанией IDT технология Zero-Distortion позволила ей создать самый экономичный в отрасли модулятор Компания Integrated Device Technology (IDT) представила новый квадратурный модулятор с наименьшим в отрасли потреблением мощности и с ...
    IDT’s Latest RF Signal Path Solution Features Zero-Distortion™ Technology to Deliver Industry’s Lowest Power Consumption Modulator Integrated Device Technology introduced a new IQ modulator that delivers the industry’s ...
    29-07-2014
 Страницы:
 1    2    3    4    5    6    7    8    9    10    ... 

Технология Maxim Integrated nanoPower
Особенности построения зарядных устройств мощностью 350 кВт на транзисторных модулях Infineon
Срезы ↓
Закажи печатные платы, комплектующие получи бесплатно

Рейтинг@Mail.ru