Публикации: DSS 25-0045A - 2

11. STWA88N65M5 — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    .. 100% протестировано на устойчивость к лавинам Легко управлять Превосходные характеристики переключения Высший рейтинг V DSS Более высокая способность dv/dt Лучший в мире R DS(on) в TO-247
    1 декабря 2019

Купить DSS 25-0045A на РадиоЛоцман.Цены — от 4.43 до 2 080 ₽ 326 предложений от 30 поставщиков Нож Samura Golf SG-0045/A предназначен для нарезки различных продуктов на аккуратные ломтики на предприятиях общественного питания и торговли, в частных домах...
AiPCBA Весь мир	FW0045A	4.43 ₽	Купить
Контест Россия	DSSK60-0045A IXYS	378 ₽	Купить

12. STW88N65M5 — Datasheet STMicroelectronics
    Datasheets
    .. 100% протестировано на устойчивость к лавинам Легко управлять Превосходные характеристики переключения Высший рейтинг V DSS Более высокая способность dv/dt Лучший в мире R DS(on) в TO-247
    1 декабря 2019

13. Toshiba выпускает сдвоенный MOSFET с высоким уровнем защиты от электростатических разрядов
    Новости Дискретные компоненты Авто Toshiba SSM6N813
    Эффективное сдвоенное устройство, идеально подходящее для использования в драйверах светодиодных фар автомобилей Toshiba Electronics Europe выпустила сдвоенный MOSFET с высокими уровнями защиты от электростатических разрядов. Новый прибор SSM6N813R ...

    Toshiba releases small MOSFET with excellent ESD protection

    .. IC for headlight LEDs, which require a high withstand voltage and a small footprint. A maximum drain-source voltage (V DSS ) of 100 V ensures that the SSM6N813R is suitable for headlight applications requiring multiple LEDs, a capability ...

    21 февраля 2019
14. Прецизионный измеритель тока верхнего плеча
    Catherine Chang
    Схемы Аналоговая схемотехника Измерения Linear Technology LTC2063 LT1389
    .. источником ошибки нулевой точки является ток стока P-канального полевого транзистора при нулевом напряжении на затворе (I DSS ) паразитный ток, существующий при ненулевом напряжении сток-исток (V DS ) и номинально выключенном транзисторе ...

    Precision Ultralow Power High Side Current Sense

    Catherine Chang

    .. to 100 uA I SENSE . Another source of zero point error is the output PMOS’s zero gate voltage drain current, or I DSS , a parasitic current that is present for nonzero V DS when the PMOS is nominally turned off (|V GS | = 0). A ...

    19 сентября 2018
15. Toshiba приступает к поставкам новых MOSFET с цепями активного ограничения
    Новости Электронные компоненты Toshiba SSM6N357R SSM6N357R
    Компактные размеры, низкое сопротивление канала и соответствие требованиям автомобильного стандарта AEC-Q101 Компания Toshiba Electronics Europe объявила о начале серийного производства новой серии MOSFET с цепями активного ограничения встроенными ...

    Toshiba Launches active-clamp MOSFET series for relay drivers

    .. part count and save PCB space. The SSM6N357R Internal Schematic. The devices withstands a maximum drain-source voltage (V DSS ) of 60 V and a maximum drain current (I D ) of 0.65 A. The low drain-source on-resistance (R DS(ON) ) of 800 ...

    18 июня 2018
16. Каскодная пара полевых транзисторов улучшает характеристики источника тока
    Схемы Аналоговая схемотехника Измерения Питание Texas Instruments LM4132
    .. тока стока полевого транзистора от напряжения затвора приблизительно описывается выражением где I D ток стока, I DSS ток насыщения V GS напряжение затвор-исток, V P напряжение отсечки. Предположим, что выходное напряжение IC 1 не ...

    JFET cascode boosts current-source performance

    .. the pinch-off voltage. The JFET's drain current varies approximately with its gate bias: where I D is drain current, I DSS is the saturated drain current, V GS is the gate-to-source voltage, and V P is the pinch-off voltage. Assume that ...

    15 февраля 2018
17. Alpha and Omega Semiconductor анонсировала новый P-канальный MOSFET для коммутаторов нагрузки портов USB PD
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Alpha & Omega AONR21357
    Надежное, универсальное решение для приложений коммутации нагрузки в системах, поддерживающих USB PD, с расширенным диапазоном входных напряжений Alpha and Omega Semiconductor (AOS) сообщила о выпуске первого прибора нового семейства MOSFET. ...

    Alpha and Omega Semiconductor Announces New P-Channel MOSFET for USB PD Load Switch

    .. process to achieve low power loss and reliable startup. The new device rated at 30 V drain-source breakdown voltage (BV DSS ) and 25 V gate-source voltage. It features a maximum on-resistance (R DS(ON) ) of 12.3 mOhm under V GS = 4.5 V, ...

    24 октября 2017
18. как подключить цифровой шим из китая?
    Форум Начинающим
    Здравствуйте! Мне нужно подключить регулятор оборотов к движку какие провода с чем соединить? Движок бытовой. Ругулятор купила на алекспрессе. Спаять сумею. С уважением Ольга. dss60 , Судя по фотографиям Вашей прялки использован асинхронный ...
    11 сентября 2017
19. TI представляет самый миниатюрный в отрасли драйвер затворов и силовые MOSFET для управления двигателями
    Новости Драйверы Силовая электроника Texas Instruments DRV8320 DRV8320R DRV8323 DRV8323R CSD88584Q5DC CSD88599Q5DC
    Разработчики смогут удвоить плотность мощности в драйверах двигателей ограниченного объема Texas Instruments (TI) представила два новых семейства устройств, которые позволят уменьшить размеры и вес приложений управления двигателями. При совместном ...

    TI introduces the industry's smallest gate driver and power MOSFET solution for motor control

    .. The CSD88584/99 power blocks come in DualCool small outline no-lead (SON) packaging, with 40- or 60-V breakdown voltage (BV DSS ) choices. All devices are available now, priced and packaged as listed in the table below. Product Price U.S. ...

    30 мая 2017
20. Toshiba представляет МОП-транзисторы на 60 В со сверхнизким Rds(on) и выходным зарядом в самом современном корпусе для поверхностного монтажа
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Toshiba TPH1R306PL
    .. U-MOS IX-H и представляет новое устройство в корпусе для поверхностного монтажа с максимальным допустимым V DSS 60 В и максимальным током стока 100 А. TPH1R306PL выпускается в корпусе SOP Advance для поверхностного монтажа и ...

    Toshiba Delivers Ultra-Low RDS(ON) and Output Charge in Latest Compact 60V SMD MOSFET

    .. its U-MOS IX-H family of compact, high-efficiency, high-speed switching MOSFETs with a new SMD device offering a maximum V DSS rating of 60 V and a maximum drain current of 100 A. The TPH1R306PL is supplied in a SOP Advance surface mount ...

    10 ноября 2016

Сортировать по: релевантность / дата