Публикации: DSS 60-0045B - 5

41. PCI-плата «TT budget S-1401» — цифровой спутниковый ТВ ресивер
    Статьи Беспроводные Телевидение TT budget S-1401
    .. в мультипрограммных применениях. ИМС BPSK/QPSK-демодулятора TDA10086HT ИМС TDA10086HT является последним канальным DVB-S/DSS QPSK-демодулятором фирмы PHILIPS и была разработана ею в 2002 году. Прототипом данной ИМС стала TDA10085HT. При ...
    22 августа 2016

Купить DSS 60-0045B на РадиоЛоцман.Цены — от 2.72 до 4 427 ₽ 268 предложений от 24 поставщиков Японский кухонный нож Samura Harakiri SHR-0045B/K предназначен для филигранной нарезки различных продуктов на предприятиях общественного питания и торговли, в частных …
AiPCBA Весь мир	FW0045B	2.72 ₽	Купить
Maybo Весь мир	FXP75.07.0045B	852 ₽	Купить

42. Toshiba представляет МОП-транзисторы на 60 В со сверхнизким Rds(on) и выходным зарядом в самом современном корпусе для поверхностного монтажа
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Toshiba TPH1R306PL
    .. U-MOS IX-H и представляет новое устройство в корпусе для поверхностного монтажа с максимальным допустимым V DSS 60 В и максимальным током стока 100 А. TPH1R306PL выпускается в корпусе SOP Advance для поверхностного монтажа и ...

    Toshiba Delivers Ultra-Low RDS(ON) and Output Charge in Latest Compact 60V SMD MOSFET

    .. its U-MOS IX-H family of compact, high-efficiency, high-speed switching MOSFETs with a new SMD device offering a maximum V DSS rating of 60 V and a maximum drain current of 100 A. The TPH1R306PL is supplied in a SOP Advance surface mount ...

    10 ноября 2016

43. DSS20201L-7 — Datasheet Diodes -
    Datasheets Diodes DSS20201L-7
    

    Наименование модели: DSS20201L-7 Производитель: Diodes Описание: Транзистор, NPN, SOT23, 0.6 Вт Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DSS20201L LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models ...
    13 марта 2011
44. Toshiba приступает к поставкам новых MOSFET с цепями активного ограничения
    Новости Электронные компоненты Toshiba SSM6N357R SSM6N357R
    Компактные размеры, низкое сопротивление канала и соответствие требованиям автомобильного стандарта AEC-Q101 Компания Toshiba Electronics Europe объявила о начале серийного производства новой серии MOSFET с цепями активного ограничения встроенными ...

    Toshiba Launches active-clamp MOSFET series for relay drivers

    .. part count and save PCB space. The SSM6N357R Internal Schematic. The devices withstands a maximum drain-source voltage (V DSS ) of 60 V and a maximum drain current (I D ) of 0.65 A. The low drain-source on-resistance (R DS(ON) ) of 800 ...

    18 июня 2018
45. Цепи защиты входов операционного усилителя могут шуметь
    Arthur Kay
    Статьи Аналоговая схемотехника Усилители Texas Instruments OPA205 OPA206
    .. меньшего, чем указанный в техническом описании максимальный ток 10 мА. Ток, протекающий при V GS = 0 В, определяется как I DSS , поэтому для защиты входа операционного усилителя требуется выполнение условия I DSS 10 мА. Эффект от входного ...

    Op-amp input protection can be noisy

    Arthur Kay

    .. current to less than the 10-mA absolute maximum current specification. The current flow with V GS = 0 V is defined as I DSS , so I DSS 10 mA is required for op-amp input protection. A 50 V input fault would have the same effect, except ...

    26 марта 2025
46. TI представляет самый миниатюрный в отрасли драйвер затворов и силовые MOSFET для управления двигателями
    Новости Драйверы Силовая электроника Texas Instruments DRV8320 DRV8320R DRV8323 DRV8323R CSD88584Q5DC CSD88599Q5DC
    Разработчики смогут удвоить плотность мощности в драйверах двигателей ограниченного объема Texas Instruments (TI) представила два новых семейства устройств, которые позволят уменьшить размеры и вес приложений управления двигателями. При совместном ...

    TI introduces the industry's smallest gate driver and power MOSFET solution for motor control

    .. The CSD88584/99 power blocks come in DualCool small outline no-lead (SON) packaging, with 40- or 60-V breakdown voltage (BV DSS ) choices. All devices are available now, priced and packaged as listed in the table below. Product Price U.S. ...

    30 мая 2017
47. DSS4140U-7 — Datasheet Diodes -
    Datasheets Diodes DSS4140U-7
    

    Наименование модели: DSS4140U-7 Производитель: Diodes Описание: Транзистор, NPN, SOT323, 0.4 Вт Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DSS4140U LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models ...
    13 марта 2011
48. как подключить цифровой шим из китая?
    Форум Начинающим
    Здравствуйте! Мне нужно подключить регулятор оборотов к движку какие провода с чем соединить? Движок бытовой. Ругулятор купила на алекспрессе. Спаять сумею. С уважением Ольга. dss60 , Судя по фотографиям Вашей прялки использован асинхронный ...
    11 сентября 2017
49. Alpha and Omega Semiconductor анонсировала новый P-канальный MOSFET для коммутаторов нагрузки портов USB PD
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Alpha & Omega AONR21357
    Надежное, универсальное решение для приложений коммутации нагрузки в системах, поддерживающих USB PD, с расширенным диапазоном входных напряжений Alpha and Omega Semiconductor (AOS) сообщила о выпуске первого прибора нового семейства MOSFET. ...

    Alpha and Omega Semiconductor Announces New P-Channel MOSFET for USB PD Load Switch

    .. process to achieve low power loss and reliable startup. The new device rated at 30 V drain-source breakdown voltage (BV DSS ) and 25 V gate-source voltage. It features a maximum on-resistance (R DS(ON) ) of 12.3 mOhm under V GS = 4.5 V, ...

    24 октября 2017
50. Каскодная пара полевых транзисторов улучшает характеристики источника тока
    Схемы Аналоговая схемотехника Измерения Питание Texas Instruments LM4132
    .. тока стока полевого транзистора от напряжения затвора приблизительно описывается выражением где I D ток стока, I DSS ток насыщения V GS напряжение затвор-исток, V P напряжение отсечки. Предположим, что выходное напряжение IC 1 не ...

    JFET cascode boosts current-source performance

    .. the pinch-off voltage. The JFET's drain current varies approximately with its gate bias: where I D is drain current, I DSS is the saturated drain current, V GS is the gate-to-source voltage, and V P is the pinch-off voltage. Assume that ...

    15 февраля 2018

Сортировать по: релевантность / дата