AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Схема оптимизирует быстродействие фототранзистора

OSRAM SFH 320 SFH 421

Простая схема может улучшить динамические характеристики фототранзистора для использования в низко- и среднескоростных приложениях со скоростями до 100 кбит/с, таких как оптическая изоляция последовательной линии RS-232C (Рисунок 1). В недорогих приложениях, требующих высоковольтной изоляции, небольшого количества компонентов и низкого энергопотребления, можно использовать общедоступные компоненты, такие как ИК-светодиод SFH421 с ИК-фототранзистором SFH320. Номинальное время нарастания/спада светодиода равно 500 нс, что достаточно быстро, но время нарастания/спада фототранзистора при нагрузке 1 кОм составляет 5 мкс для самой быстрой версии и 8 мкс для самой медленной.

Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!

U1 - это  инвертор с триггером Шмитта, а U2 - D-триггер. Диоды - малосигнальные диоды Шоттки. Нормальное состояние кнопки разомкнутое. Номиналы резисторов и конденсаторов обсуждаются в тексте.
Рисунок 1. С резистором 1 кОм простой фототранзистор (а) имеет время нарастания/спада 5-8 мкс. Операционный
усилитель может уменьшить время отклика фототранзистора (б), но без дополнительной фазовой
коррекции схема работает плохо. В качестве альтернативы можно использовать транзистор для изоляции
емкости фототранзистора и поддержания стабильного уровня сигнала на фототранзисторе (в).

Фототранзисторы обладают менее хорошими динамическими характеристиками, чем фотодиоды, поскольку, помимо процессов накопления и зарядки, фототранзисторы также имеют задержку, обусловленную механизмом усиления (эффектом Миллера). Для времени нарастания (TR) и спада (TF) фототранзистора справедливо следующее соотношение:

где

fT – граничная частота;
RLOAD – сопротивление нагрузки;
CCB – емкость коллектор-база;
V – коэффициент усиления;
b – константа, значение которой находится в диапазоне от 4 до 5.

Для RLOAD = 1 кОм, 4 < b < 5, 100 < V < 1000, CCB ≈ 2.5 пФ и fT ≈ 100 кГц это выражение дает 5 мкс < TR,F < 8 мкс.

График зависимости времени нарастания TR от сопротивления нагрузки RLOAD дает более практичный способ оценки максимальной скорости передачи данных в схеме на Рисунке 1а без использования дополнительных цепей коррекции (Рисунок 2). Для последовательного канала со скоростью 2400 бит/с и погрешностью длины бита менее 10% время нарастания оценивается в 42 мкс, что соответствует резистору сопротивлением 7.5 кОм.

Соотношение между наихудшим временем нарастания и сопротивлением нагрузки для базовой схемы включения фототранзистора показывает, что при TR = 42 мкс RLOAD должно быть равно 7.5 кОм.
Рисунок 2. Соотношение между наихудшим временем нарастания и сопротивлением
нагрузки для базовой схемы включения фототранзистора показывает,
что при TR = 42 мкс RLOAD должно быть равно 7.5 кОм.

Для уменьшения времени отклика можно использовать операционный усилитель, но без коррекции фазы результат будет плохим. В схеме на Рисунке 1б общее быстродействие ограничено внутренней емкостью фототранзистора и полосой пропускания усилителя. Чтобы компенсировать побочный эффект емкости CCB фототранзистора, параллельно резистору нужно подключить конденсатор небольшой емкости. Выбор правильной емкости корректирующего конденсатора – сложная задача, поскольку характеристика преобразователя тока в напряжение имеет два полюса. Кроме того, для обеспечения устойчивости фазовая коррекция и полоса пропускания должны рассматриваться совместно.

К счастью, есть другой способ максимально эффективного использования полосы пропускания фототранзистора. Можно изолировать внутреннюю емкость фототранзистора с помощью транзистора (Рисунок 1в). Транзистор, благодаря низкому выходному сопротивлению и большому произведению коэффициента усиления на ширину полосы пропускания, поддерживает напряжение сигнала на фототранзисторе на стабильном постоянном уровне. С этой задачей хорошо справляется универсальный BC847, и с фототранзистором SFH320 скорость передачи данных в схеме может достигать 153.6 кбит/с. Увеличить скорость выше этого значения невозможно, даже при использовании самого быстрого операционного усилителя, из-за фотоэлектрической задержки, обусловленной процессами зарядки и накопления.

Материалы по теме

  1. Datasheet OSRAM SFH 320
  2. Datasheet OSRAM SFH 421
  3. Datasheet Texas Instruments TL082

EDN

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Circuit optimizes phototransistor bandwidth

40 предложений от 23 поставщиков
NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLEDa-Package
Зенер
Россия и страны ТС
SFH320-3/4
от 14 ₽
Элрус
Россия
SFH320FA
OSRAM
от 24 ₽
ТаймЧипс
Россия
SFH320FA-3/-4
Siemens
по запросу
SFH320FA
Siemens
по запросу
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя
Фрагменты обсуждения:Полный вариант обсуждения »
  • Каскодное соединение естественно снижает эффект Миллера. Но вот чтобы так при чистом нуле на коллекторе второго транзистора! смещение базы +6V, на коллекторе 0V, транзистор npn в обратном смещении?! P.S. в такой конфигурации даже один фототранзистор, с фиксированным напряжением на коллекторе, будет работать точно так же как и включённый по каскодной схеме.(естественно если подать напряжение смещения на неинвертирующий вход оу)