Новости
Статьи
Библио
Схемы
Datasheets
Сайты
Приборы
Цены
Форум
Еще
Новости
Статьи
Библио
Datasheets
Сайты
Приборы
Подписка на обновления
Журнал «РадиоЛоцман»
Авторы
Datasheet.ru
Объявления
О РадиоЛоцмане
Авторам
Вакансии
Сотрудничество
Реклама
Контакты
en - English
de - Deutsch
es - Espanol
zh - 中文
Поиск
Datasheets
Полевые транзисторы
Rohm
Datasheets - Полевые транзисторы Rohm
Подраздел: "
Полевые транзисторы
"
Полупроводниковые приборы
Дискретные приборы
Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Полевые транзисторы
Производитель: "
Rohm
"
Производители
Advanced Linear Devices
Alpha & Omega
Ampleon
APT
Avago Technologies
Central Semiconductor
Clare
Cree
Diodes
Efficient Power Conversion
Eudyna Devices
Fairchild
Freescale
Fuji Electric
HALO
Inchange Semiconductor
Infineon
Integra Technologies
International Rectifier
International Wire
Intersil
IXYS
IXYS RF
JiLin Sino-Microelectronics
Littelfuse
MCC
Microchip
Microsemi
Motorola
Multicomp
National Semiconductor
New Jersey Semiconductor
Nexperia
Niko Semiconductor
NTE Electronics
NXP
ON Semiconductor
Panasonic
Philips
Renesas
Rohm
Sanyo
Semelab
Semikron
Siliconix
STMicroelectronics
Taiwan Semiconductor
Temic
Texas Instruments
Toshiba
Vishay
Wayon
Wolfspeed
НИИЭТ
Серии: "
SCT3160KL
"
Серии
RZM001P02
SCT3160KL
SCT3160KLHR
Найдено:
1
Вывод:
1
Вид:
Список
/
Картинки
SCT3160KLGC11 — Datasheet Rohm
Полевые транзисторы
Rohm
SCT3160KL
SCT3160KLGC11
Nch МОП-транзистор из карбида кремния (SiC) SCT3160KL — это SiC (карбид кремния) траншейный MOSFET. Характеристики включают высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую скорость переключения.
Срезы
Измерения
Микроконтроллеры
Силовая Электроника
Электронные компоненты
Ремонт техники
Подписка на обновления
Журнал «РадиоЛоцман»
Реклама
Размещение прайс листов
Контакты