N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-3PF Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-247 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
N-канал 60 В - 0,020 Ом - 28 А - МОП-транзистор DPAK StripFET (TM) II POWER MOSFET Все особенности ТИПИЧНЫЙ R DS (вкл.) = 0,020 Ом 100% ПРОТЕСТИРОВАНИЕ НА ЛАВИНУ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ dv / dt УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ DPAK (TO-252) СИЛОВОЙ ...
N-канальный, 60 В, 0,022 Ом, тип., 35 А, силовой МОП-транзистор STripFET II в корпусе DPAK Все особенности Низкопороговый привод Заряд затвора сведен к минимуму
Автомобильный N-канал, 60 В, 22 мОм, 35 А, силовой МОП-транзистор STripFET II в корпусе DPAK Все особенности Соответствует AEC-Q101 Низкопороговый привод Заряд затвора сведен к минимуму
P-КАНАЛ 30 В - 0,025 Ом - МОП-транзистор STripFET II, 24 А Этот силовой полевой МОП-транзистор является последней разработкой уникального процесса STMicroelectronics на основе полоски «единого размера». Полученный транзистор демонстрирует ...
N-канальный, 600 В, тип 0,4 Ом, MOSFET-транзистор мощностью 11 мА в корпусе D2PAK Эти устройства являются N-канальными Power MOSFET, разработанными с использованием технологии MDmesh второго поколения. Эти революционные силовые полевые ...
N-канальный, 600 В, тип 0,4 Ом, MOSFET-транзистор мощностью 11 мА в корпусе TO-220 Эти устройства являются N-канальными Power MOSFET, разработанными с использованием технологии MDmesh второго поколения. Эти революционные силовые полевые ...
N-канальный 650 В, 0,024 Ом тип., 84 А MDmesh M5 Power MOSFET в корпусе TO247-4 Это устройство представляет собой N-канальный силовой МОП-транзистор на основе инновационной вертикальной технологической технологии MDmesh M5 в сочетании с хорошо ...
N-канальный 650 В, 0,024 Ом тип., 84 А MDmesh M5 Power MOSFET в корпусе TO-247 Эти устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh V, основанные на инновационной фирменной вертикальной технологической технологии, которая ...
N-канальный 650 В, 0,024 Ом тип., 84 А MDmesh M5 Power MOSFET в корпусе TO-247 Эти устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh V, основанные на инновационной фирменной вертикальной технологической технологии, которая ...
Наименование модели: STY112N65M5 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 93 А MAX247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STY112N65M5 N-channel 650 V, 0.019 96 A, MDmeshTM V Power MOSFET , in Max247 ...
Наименование модели: STW9N150 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 1500 В, 8 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STW9N150 N-channel 1500 V - 1.8 - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESHTM ...
Наименование модели: STW77N65M5 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 69 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STW77N65M5 N-channel 650 V, 0.033 69 A, MDmeshTM V Power MOSFET , TO-247 ...
Наименование модели: STW60N65M5 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 46 А, TO 247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STW60N65M5 STFW60N65M5 N-channel 650 V, 0.049 46 A MDmeshTM V Power MOSFET , ...
