ВЧ транзисторы следующего поколения, выполненные по усовершенствованной технологии, обеспечивают повышенную чувствительность приемников на высоких частотах

В дополнение к ВЧ транзисторам и MMIC, Infineon предлагает ВЧ транзисторы, выполненные на базе технологии следующего поколения SiGe:C HBT (Silicon Germanium Carbon Hetero Bipolar Transistor – кремний-германий-углеродной гетеробиполярной технологии). Чтобы разработать данную технологию, научно-технические специалисты поставили перед собой задачу уменьшить разрыв между точками Гo (Gamma Opt) (расположением оптимальных импедансов источников для получения минимального коэффициента шумов) при 5-6 ГГц и 50 Ом. Это позволяет пользователям быстро разрабатывать системы с согласованием по входу, не требующие подключения каких-либо внешних согласующих компонентов. Таким образом, эти ВЧ транзисторы восьмого поколения устанавливают новый уровень производительности, обеспечивая лучшее в своем классе решение для построения МШУ. Среди преимуществ – низкий коэффициент шумов (менее 1 дБ на частотах 5-6 ГГц на уровне устройства и 0.75 дБ NFmin на уровне транзистора), лучшее значение коэффициента усиления по мощности (около 15 дБ) на уровне устройства и максимальное значение коэффициента усиления по мощности 22 дБ на уровне устройства, сокращение перечня комплектующих, меньшие размеры посадочного места на печатной плате и лучшая линейность при низких напряжениях питания. Кроме того, транзисторы этого нового семейства устойчивы к воздействию электростатических разрядов (ESD) и высокой входной мощности благодаря встроенной ESD-защите на входе и на выходе.

Транзисторы выпускаются в различных корпусах. Транзистор BFP840ESD – в корпусе SOT343, BFP840FESD – в корпусе TSFP-4, а BFR840L3RHESD – в сверхминиатюрном корпусе TSLP-3 (1 × 0.6 × 0.31 мм³). В настоящее время в разработке находятся и другие варианты данных приборов на базе новой технологии.

Особенности

• Более высокий коэффициент усиления при частоте свыше 4 ГГц
• NFmin = 0.75 дБ в диапазоне 5-6 ГГц
• Превосходная линейность при низких рабочих напряжениях
• Встроенная ESD-защита
• Низкая потребляемая мощность
• Малое количество внешних компонентов
• Низкая потребляемая мощность, идеальная для мобильных устройств
• Согласование мощности и шумов в диапазоне 5-6 ГГц
• Лучшие в своем классе шумовые характеристики: NFmin = 0.75 дБ в диапазоне 5-6 ГГц
• Высокая максимальная входная ВЧ мощность

Применение

• Устройства мобильной и фиксированной связи: WLAN 802.11, WiMAX и UWB
• Спутниковые системы связи: спутниковое радио (SDARS, DAB), навигационные системы (например, GPS, GLONASS) и малошумящие блоки (LNB) C-диапазона (1-й и 2-й каскады МШУ)
• ВЧ каскады LNB Ku-диапазона (2-й или 3-й каскад МШУ и смеситель)
• Генераторы Ka-диапазона (DRO)