HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL
РадиоЛоцман - Все об электронике

NXP выпустила первые транзисторы с низким напряжением насыщения в корпусах DFN2020

NXP PBSS4330PAS PBSS5330PAS

NXP объявила о выпуске первых транзисторов с низким напряжением насыщения в новых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), предназначенных для пайки к торцевым поверхностям контактов. Допустимое напряжение коллектор-эмиттер обоих транзисторов PBSS4330PAS и PBSS5330PAS равно 30 В, а напряжение насыщения в определенных режимах нормируется на уровне 45 мВ. Помимо большого допустимого тока 3 А и высокого коэффициента усиления тока базы, даже при больших токах достигающего 500, транзисторы отличаются улучшенными характеристиками паяемости.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

NXP - DFN2020D-3

Новые транзисторы стали первыми из приборов NXP с низким напряжения насыщения, выпускающимися в небольших безвыводных пластиковых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), пригодных для автоматизированного оптического контроля (AOI) качества паяных соединений, особенно востребованного в автомобильной промышленности. Приборы удовлетворяют требования стандарта AEC-Q101, регламентирующего параметры устройств для систем автоэлектроники, и сохраняют гарантированные характеристики при рабочих температурах до 175 °C.

Портфель пригодных для AOI транзисторов в корпусах DFN2020D-3 будет расширен в конце года за счет включения в него приборов средней мощности с низким напряжением насыщения, а несколько позднее к нему добавятся транзисторы с напряжениями коллектор-эмиттер до 100 В.

Особенности и преимущества

  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер
  • Большой постоянный и импульсный ток коллектора
  • Высокий коэффициент передачи тока при больших токах коллектора
  • Высокая эффективность, обусловленная малым тепловыделением
  • Рабочая температура перехода до 175 °C
  • Меньшая площадь, занимаемая на печатной плате
  • Миниатюрный безвыводной пластиковый корпус DFN2020D-3 для поверхностного монтажа с контактами для пайки к торцевым поверхностям
  • Вскрытое теплоотводящее основание для улучшения тепло- и электропроводности
  • Пригодны для автоматизированного оптического контроля качества паяных соединений
  • Соответствуют требованиям стандарта AEC-Q101

Основные области применения

  • Коммутаторы нагрузки
  • Устройства с батарейным питанием
  • Устройства управления питанием
  • Зарядные устройства
  • Силовые ключи схем управления моторами и вентиляторами

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: First low VCEsat transistors in DFN2020 with solderable sidepads

23 предложений от 13 поставщиков
NEXPERIA - PBSS4330PA,115 - TRANSISTOR,NPN,30V,3A,SOT1061
ChipWorker
Весь мир
PBSS4330PA115
NXP
13 ₽
AiPCBA
Весь мир
PBSS4330PA115
NXP
14 ₽
Элитан
Россия
PBSS4330PA
NXP
37 ₽
Akcel
Весь мир
PBSS4330PA,115
Nexperia
от 39 ₽
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя