Компактное устройство размером 5 мм × 6 мм сократит занимаемую площадь и повысит КПД импульсных источников питания в автомобильных приложениях Vishay Intertechnology представила n-канальный 60-вольтовый MOSFET, который является первым в ...
Compact 5 mm by 6 mm Device Saves Space and Increases Efficiency in Switch‑Mode Power Supplies for Automotive Applications Vishay Intertechnology introduced an AEC-Q101 qualified n-channel 60 V MOSFET that is the industry’s first such device ...
Для достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным ...
Contemporary power system designs demand high power density levels and small form factors to maximize system-level performance. Infineon Technologies tackles this challenge by focusing on system innovation with enhancements on the component level. ...
Устройство с вертикальной установкой в компактном корпусе типоразмера 4024 имеет вдвое меньшее сопротивление постоянному току, чем обычные силовые дроссели, и при этом экономит место на печатной плате Vishay Intertechnology представила новый ...
Vertical-Mount IHVR-4024KE-51 Device in Compact 4024 Case Size Offers 50 % Lower DCR Than Typical Power Inductors While Saving Board Space Vishay Intertechnology introduced a new high current inductor that provides 50% lower DCR than typical power ...
Устройство позволяет значительно сократить потери, повысив, тем самым, КПД преобразователей энергии Toshiba Electronics Europe выпустила 1200-вольтовый карбидокремниевый (SiC) MOSFET для мощных промышленных приложений, включая AC/DC источники ...
Device offers significantly reduced losses thereby increasing power solution efficiency Toshiba Electronics Europe has launched a 1200 V silicon carbide (SiC) MOSFET for high power industrial applications including 400 V AC input AC-DC power ...
Компания Ampleon выпустила мощный радиочастотный транзистор BLF989E , изготавливаемый на основе новейшего высоковольтного (50 В) технологического процесса LDMOS девятого поколения. BLF989E был разработан для использования в высокоэффективных ...
Ampleon has released the BLF989E RF power transistor, which uses the very latest ninth-generation high-voltage (50 V) LDMOS process technology. The BLF989E has been designed to deliver the highly efficient Doherty amplifiers required by the next ...
Устройство в компактном корпусе PowerPAIR размером 3.3 мм × 3.3 мм с сопротивлением открытого канала всего 8.05 мОм и зарядом затвора 6.5 нКл Vishay Intertechnology представила новый 40-вольтовый полумостовой силовой каскад на n-канальных ...
Space-Saving Device Features Maximum R DS(ON) Down to 8.05 mΩ and Qg of 6.5 nC in Compact PowerPAIR® 3×3S Package Vishay Intertechnology introduced a new 40 V n-channel MOSFET half bridge power stage that delivers increased power ...
Central Semiconductor представила 4-амперный 1000-вольтовый двухполупериодный выпрямитель CBRDFA4-100 с кристаллом, пассивированным стеклом. Прибор, упакованный в прочный низкопрофильный эпоксидный корпус BR DFN-A высотой 1.55 мм, идеально подходит ...
Central Semiconductor introduces the CBRDFA4-100 , a 4.0 A, 1000 V full wave bridge rectifier with a glass passivated die. Packaged in a low profile 1.55 mm durable epoxy BR DFN-A case, this device is ideal for power supply and fast charger ...
Littelfuse анонсировала выпуск новой серии 50-амперных однонаправленных матриц TVS диодов. По сравнению с решениями, доступными в настоящее время на рынке, новые матрицы TVS SP1250-01ETG обеспечивают лучшую защиту за счет более низкого напряжения ...
Littelfuse, Inc. announced a new series of 50 A unidirectional TVS Diode Arrays (SPA® Diodes). Compared to solutions currently available on the market, the SP1250-01ETG 50 A unidirectional TVS diode arrays provide superior protection via lower ...
АО НИИЭТ продолжает расширять номенклатуру мощных СВЧ GaN-транзисторов. Предприятие получило патент на топологию 100-ваттной GaN-транзисторной структуры L-, S- диапазонов частот с напряжением питания 28 В со сложной структурой затворной шины. Об ...
Устройство в корпусе площадью 10.89 мм 2 имеет типовое сопротивление открытого канала 61 мОм и показатель качества 854 мОм нКл Vishay Intertechnology представила новый 200-вольтовый n-канальный MOSFET с самым низким в отрасли типовым сопротивлением ...
TrenchFET® Device Offers Typical RDS(ON) of 61 mΩ and FOM of 854 mΩ nC in 10.89 mm 2 Package Vishay Intertechnology introduced a new 200 V n-channel MOSFET that offers industry-low typical on-resistance of 61 mΩ at 10 V in the ...
