Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Схемы: PN - 4

Поиск по: "PN"
Найдено: 228 Вывод: 31-40
  1. .. 0.00005 А 300/0.00005= 6 000 000 Ом= 6МОм Первая схема проста, но температурная стабильность низкая (как у pn-перехода). Вторая схема имеет хорошую стабильность, но надо устранить ошибку - инвертирующий вход ОУ надо подключить ...
    11 мая 2022
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению
  1. Lukasz Sliwczynski Przemyslaw Krehlik
    Иногда бывает нужно оценить различие двух напряжений с помощью решения, основанного на использовании некоторого гистерезиса. При изменении уровней сравниваемых сигналов в широких пределах (например, на несколько порядков) ширина петли гистерезиса ...
    Lukasz Sliwczynski Przemyslaw Krehlik
    Sometimes, you need to distinguish between two voltages, using some hysteresis in the decision. When the levels of the compared signals vary over a wide range (for example, a few orders of magnitude), the hysteresis width should vary similarly to ...
    29 марта 2022
  1. Jan Novák Julius Foit
    В усилителях АРУ используется нелинейность характеристик управляющих устройств. Величина активной составляющей некоторых из их дифференциальных параметров изменяется в зависимости от положений их рабочих точек по постоянному току. Типичным примером ...
    Jan Novák Julius Foit
    .. changes depending on variations in their dc operating points. A typical example is the VA characteristic of a silicon PN junction, which results in the differential conductance directly proportional to the passing dc current ( Reference 1 ...
    24 февраля 2022
  2. Julius Foit
    При обработке информации от аналоговых датчиков мы часто сталкиваемся с большими различиями в затухании сигналов между каналами связи или между датчиками. Или же имеют место ситуации, когда несколько идентичных датчиков в контролируемой системе ...
    Julius Foit
    .. active state. The shorted transistor's V I (voltage-versus-current) characteristic curve strongly resembles that of a PN diode and follows Shockley's Equation except for slightly higher dc-voltage values. That is, the device's ...
    17 февраля 2022
  3. Clayton Grantham
    Независимо от того, о каком источнике питания портативного устройства идет речь, чем ниже напряжение, при котором запускается схема, тем лучше. Более низкое напряжение запуска также увеличивает время работы. Кроме того, чтобы полностью разрядить ...
    Clayton Grantham
    No matter what portable power source you use, the lower the starting voltage your circuitry operates at, the better. A lower startup voltage also maximizes runtime. Furthermore, to completely discharge the power source, circuitry must run on ...
    14 января 2022
  4. Alan Adamsky
    Современным цифровым микросхемам, как правило, нужна сложная последовательность подачи напряжений, для управления которой обычно требуются специальные микросхемы или микропроцессоры. Но что, если ваши требования более скромны? Для представленной ...
    Alan Adamsky
    Today's digital ICs typically demand complex voltage sequencing, a task that usually requires dedicated ICs or microprocessors. But what if your requirements are more modest? The sequencing scheme presented here requires only a single ...
    29 декабря 2021
  5. Jordan Dimitrov
    Усилители класса AB были рабочими лошадками в мире аудио благодаря своей простоте и способности обеспечивать высокие уровни мощности при низком уровне искажений. Но есть также ряд подводных камней, скрытых в архитектуре AB, в основном в виде ...
    Jordan Dimitrov
    .. , R CS2 . Figure 1. Power amplifier topologies with diode bias (a) and op-amp bias (b). The voltage drops across the four PN junctions do not match and they all depend on temperature. Bias current is somewhat hard to define and current ...
    13 ноября 2021
  6. Herminio Martinez
    Используя полевые транзисторы с p-n переходом (JFET) в необычных конфигурациях, можно разработать простые высокочастотные LC-генераторы с небольшим количеством пассивных компонентов. Усилительный каскад реализуется на основе JFET, включенного по ...
    Herminio Martinez
    By using JFETs in unusual configurations, you can design simple, high-frequency LC oscillators with few passive components. The structure for implementing the amplifier stage comprises a JFET transistor that you configure as a common drain (Figure ...
    21 октября 2021
  7. Обычный источник тока на основе полевого транзистора с p-n переходом (JFET), показанный на Рисунке 1а, имеет средний выходной импеданс и большой производственный разброс напряжения отсечки V P и начального тока стока I DSS . Эти производственные ...
    The common JFET current-source in Figure 1a has average output impedance and depends heavily on the JFET's V P and I DSS variations. These manufacturing variations limit the initial accuracy of the current setpoint that the circuit can obtain ...
    22 июля 2021
  8. Михаил Басков Олег Левашов
    В статье описан главный элемент имитатора солнечной панели формирователь опорной вольтамперной характеристики (ВАХ). Подробно рассматривается конструкция формирователя ВАХ и результаты тестирования. Статья рассчитана на читателей, самостоятельно ...
    28 июня 2021

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "PN" в других поисковых системах: Везде-РадиоЛоцман DataSheet.ru
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка