Клеммные колодки Keen Side

Datasheets - Полевые транзисторы NXP - 9

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производитель: "NXP"
Найдено: 629 Вывод: 161-180

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet PMT21EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 7.4 А, SOT223
    Наименование модели: PMT21EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 7.4 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T2 PMT21EN 30 V, 7.4 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 30 August 2011 Product ...
  2. Datasheet PMR670UPE - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 480 мА, SOT416
    Наименование модели: PMR670UPE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 480 мА, SOT416 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 16 PMR670UPE 20 V, 480 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 13 September ...
  1. Datasheet PMR290UNE - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 700 мА, SOT416
    Наименование модели: PMR290UNE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 700 мА, SOT416 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 16 PMR290UNE 20 V, 700 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 13 September ...
  2. Datasheet PMN35EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457
    Наименование модели: PMN35EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN35EN 30 V, 5.1 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 20 July 2011 Product ...
  1. Datasheet PMN34UP - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 5 А, SOT457
    Наименование модели: PMN34UP Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 5 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN34UP 20 V, 5 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 9 May 2011 Product data ...
  2. Datasheet PMN27UP - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 5.7 А, SOT457
    Наименование модели: PMN27UP Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 5.7 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN27UP 20 V, 5.7 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 13 July 2011 Product data sheet ...
  3. Datasheet PMN25UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 6 А, SOT457
    Наименование модели: PMN25UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 6 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN25UN 20 V, 6 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 28 July 2011 Product data ...
  4. Datasheet PMN25EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.2 А, SOT457
    Наименование модели: PMN25EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.2 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN25EN 30 V, 6.2 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 29 August 2011 ...
  5. Datasheet PMN20EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.7 А, SOT457
    Наименование модели: PMN20EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.7 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 57 PMN20EN 30 V, 6.7 A N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 30 May 2011 Product ...
  6. Datasheet PMG85XP - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 2 А, SOT363
    Наименование модели: PMG85XP Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 2 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TS SO P6 PMG85XP 20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 28 June 2011 Product data ...
  7. Datasheet PMF170XP - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 1 А, SOT323
    Наименование модели: PMF170XP Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 1 А, SOT323 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T3 PMF170XP 20 V, 1 A P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 2 September 2011 Product ...
  8. Datasheet PMDT670UPE - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 550 мА, SOT666
    Наименование модели: PMDT670UPE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 550 мА, SOT666 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T6 PMDT670UPE 20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 13 ...
  9. Datasheet PMDT290UNE - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 800 мА, SOT666
    Наименование модели: PMDT290UNE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 20 В, 800 мА, SOT666 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T6 PMDT290UNE 20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 13 ...
  10. Datasheet PMDT290UCE - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 20/20 В, 800/550 мА, SOT666
    Наименование модели: PMDT290UCE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 20/20 В, 800/550 мА, SOT666 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T6 PMDT290UCE 20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 6 ...
  11. Datasheet NX6020NBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363
    Наименование модели: NX6020NBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363 Спецификации: SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) RoHS: есть
  12. Datasheet NX3008PBKW - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 200 мА, SOT323
    Наименование модели: NX3008PBKW Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 200 мА, SOT323 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T3 NX3008PBKW 30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 1 August 2011 Product data ...
  13. Datasheet NX3008PBKV - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 220 мА, SOT666
    Наименование модели: NX3008PBKV Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 220 мА, SOT666 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T6 NX3008PBKV 30 V, 220 mA dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 29 July 2011 Product ...
  14. Datasheet NX3008PBKT - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 200 мА, SOT416
    Наименование модели: NX3008PBKT Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 200 мА, SOT416 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 16 NX3008PBKT 30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 1 August 2011 Product ...
  15. Datasheet NX3008PBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 200 мА, SOT363
    Наименование модели: NX3008PBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008PBKS 30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 1 August 2011 Product data ...
  16. Datasheet NX3008PBK - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 230 мА, SOT23
    Наименование модели: NX3008PBK Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 230 мА, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T2 NX3008PBK 30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 1 August 2011 Product data ...

Сортировать по: релевантность / дата

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка