Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheets - Полевые транзисторы NXP - 10

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производитель: "NXP"
Найдено: 629 Вывод: 181-200

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet NX3008NBKW - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT323
    Наименование модели: NX3008NBKW Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT323 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T3 NX3008NBKW 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 2 August 2011 Product data ...
  2. Datasheet NX3008NBKV - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 400 мА, SOT666
    Наименование модели: NX3008NBKV Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 400 мА, SOT666 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T6 NX3008NBKV 30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 1 August 2011 Product ...
  1. Datasheet NX3008NBKT - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT416
    Наименование модели: NX3008NBKT Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT416 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 16 NX3008NBKT 30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 1 August 2011 Product ...
  2. Datasheet NX3008NBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363
    Наименование модели: NX3008NBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 350 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008NBKS 30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 1 August 2011 Product data ...
  1. Datasheet NX3008NBK - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 400 мА, SOT23
    Наименование модели: NX3008NBK Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 400 мА, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T2 NX3008NBK 30 V, 400 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 2 August 2011 Product data ...
  2. Datasheet NX3008CBKV - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 400/220 мА, SOT666
    Наименование модели: NX3008CBKV Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 400/220 мА, SOT666 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T6 NX3008CBKV 30 / 30 V, 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 29 ...
  3. Datasheet NX3008CBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363
    Наименование модели: NX3008CBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008CBKS 30 / 30 V, 350 / 200 mA N/P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 29 July ...
  4. Datasheet BSH203 - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 0.47 А, SOT23
    Наименование модели: BSH203 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 0.47 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode MOS transistor FEATURES ...
  5. Datasheet PMGD280UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363
    Наименование модели: PMGD280UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD280UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 10 February 2004 ...
  6. Datasheet 2N7002BKS - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.3 А, SOT363
    Наименование модели: 2N7002BKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 60 В, 0.3 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2N7002BKS 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET Rev. 2 -- 23 September 2010 Product data ...
  7. Datasheet PMN28UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 12 В, 5.7 А, SOT457
    Наименование модели: PMN28UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 12 В, 5.7 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMN28UN TrenchMOSTM ultra low level FET M3D302 Rev. 01 -- 27 September 2002 Product data ...
  8. Datasheet PMN23UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 6.3 А, SOT457
    Наименование модели: PMN23UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 6.3 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMN23UN µTrenchMOSTM ultra low level FET M3D302 Rev. 01 -- 16 June 2004 Product data ...
  9. Datasheet BUK7Y12-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 61.8 А, LFPAK
    Наименование модели: BUK7Y12-55B Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 61.8 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK7Y12-55B N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 03 -- 7 April 2010 Product data ...
  10. Datasheet BSS84AKT - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 50 В, 0.15 А, SOT416
    Наименование модели: BSS84AKT Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 50 В, 0.15 А, SOT416 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T4 16 BSS84AKT 50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 23 May 2011 Product data ...
  11. Datasheet PMV65XP - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 3.9 А, SOT23
    Наименование модели: PMV65XP Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 3.9 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMV65XP P-channel TrenchMOSTM extremely low level FET Rev. 01 -- 28 September 2004 Product data ...
  12. Datasheet BSH202 - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 0.52 А, SOT23
    Наименование модели: BSH202 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 0.52 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode MOS transistor FEATURES ...
  13. Наименование модели: PBSM5240PF Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор N CH, TRANS PNP, SOT1118 RoHS: есть
  14. Datasheet BSS138BKW - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.32 А, SOT323
    Наименование модели: BSS138BKW Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.32 А, SOT323 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T3 BSS138BKW 60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 12 August 2011 Product data ...
  15. Datasheet BSS138BKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.36 А, SOT363
    Наименование модели: BSS138BKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.36 А, SOT363 RoHS: есть
  16. Datasheet BSS138BK - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.36 А, SOT23
    Наименование модели: BSS138BK Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.36 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SO T2 BSS138BK 60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 4 August 2011 Product data sheet ...

Сортировать по: релевантность / дата

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка