Источники питания KEEN SIDE

Datasheets - Полевые транзисторы - 9

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Найдено: 8,208 Вывод: 161-180

Вид: Список / Картинки

  1. В этом транзисторе, работающем в режиме улучшения (нормально выключенном), используется вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавший себя процесс изготовления кремниевых затворов.
  2. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
AC-DC источники питания Mean Well на DIN рейку
  1. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  2. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  1. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  2. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  3. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  4. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  5. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  6. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  7. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  8. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  9. N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ...
  10. N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ...
  11. N-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET 30 В, 1,4 А, 160 мОм Эти N-канальные МОП-транзисторы логического уровня производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench компании ON Semiconductor Semiconductor, который был ...
  12. N-КАНАЛЬНЫЙ, 500 В, 2,4 Ом, 3 А
  13. N-КАНАЛЬНЫЙ, 500 В, 2,4 Ом, 3 А
  14. N-КАНАЛЬНЫЙ, 500 В, 2,4 Ом, 3 А
  15. N-канальные 500 В, 2,2 Ом тип., 3 A SuperMESH Power MOSFET в корпусах IPAK и DPAK Эти высоковольтные устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы с защитой Зенера, разработанные STMicroelectronics с использованием технологии ...
  16. N-канальные 500 В, 2,2 Ом тип., 3 A SuperMESH Power MOSFET в корпусах IPAK и DPAK Эти высоковольтные устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы с защитой Зенера, разработанные STMicroelectronics с использованием технологии ...
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка