AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheets - Полевые транзисторы - 9

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Найдено: 8,176 Вывод: 161-180

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet Vishay Si3457CDV-T1-E3
    P-канальный полевой МОП-транзистор 30 В (DS) Мощный МОП-транзистор TrenchFET
  2. Datasheet Vishay Si3457CDV-T1-GE3
    P-канальный полевой МОП-транзистор 30 В (DS) Мощный МОП-транзистор TrenchFET
Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!
  1. Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
  2. Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
  1. Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
  2. Канал N 75 В, тип. 0,0095 Ом, 80 А STripFET II Power MOSFET в корпусе TO-220 Эта серия мощных полевых МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального процесса STripFET от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации ...
  3. Datasheet Vishay SiHF640
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  4. Datasheet Vishay SiHF640-E3
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  5. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  6. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  7. Datasheet Vishay IRF640PbF
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  8. Datasheet Vishay IRF640
    Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  9. 150 В, 329 А Силовой GaN-транзистор в улучшенном режиме
  10. 200 В, 260 А Силовой GaN-транзистор в улучшенном режиме
  11. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  12. Силовой MOSFET Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. ...
  13. 10A, 650V сквозной MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current
  14. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650
    10A, 650V сквозной MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current
  15. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 SL
    10A, 650V сквозной MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current
  16. Datasheet Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL
    11A, 600V сквозной MOSFET N-Channel Enhancement Mode - UltraMOS
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка