Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Новости: Память

Найдено: 128   Вывод: 51-60
  1. Компания Everspin Technologies выводит на рынок первую коммерческую микросхему магниторезистивной оперативной памяти на основе переноса спинового момента (Spin-Torque Magnetoresistive RAM ST-MRAM), новый тип памяти со сверхмалыми задержками, ...
    Everspin Technologies leads the industry in commercializing the first Spin-Torque Magnetoresistive RAM (ST-MRAM), a new type of ultra-low latency memory, which offers an fast alternative to non-volatile DRAM sub systems. The 64Mb device is the ...
    15-11-2012
  2. Отладочный набор позволит разработчикам оценить характеристики микросхем Flash-памяти с параллельным интерфейсом, используя существующие отладочные инструменты компании Microchip Компания Microchip Technology анонсировала свой первый отладочный ...
    New Kit Enables Designers to Evaluate Microchip’s Parallel Flash Products Using Existing Microchip Development Tools Microchip Technology Inc. announced the availability of its first Parallel SuperFlash Kit 1 (AC243006-1) , a new development ...
    Память » Microchip » AC243006-1
    10-10-2012
  3. Компания Hitachi продемонстрировала метод хранения цифровой информации на кусочке кварцевого стекла, способном противостоять сверхвысоким температурам и неблагоприятным условиям окружающей среды практически вечно. Вероятность потерь информации ...
    Hitachi has unveiled a method of storing digital information on slivers of quartz glass that can endure extreme temperatures and hostile conditions without degrading, almost forever. The possibility of losing information may actually have ...
    28-09-2012
  4. Новая память примерно на 50% быстрее, чем LPDDR2 Компания Samsung вышла на новый технологический уровень изготовления памяти для мобильных устройств, начав массовое производство первой в мире оперативной памяти LPDDR3 емкостью 2 ГБ. Общая скорость ...
    Approximately 50% faster than a single LPDDR2 chip . Samsung is ushering in the next generation of mobile memory with the mass production of the first-ever 2GB LPDDR3 RAM. The new mobile chips run at a total of 12.8 gigabytes per second and 1600 ...
    Память » Samsung » 2GB LPDDR3
    20-09-2012
  5. Новые многоцелевые микросхемы Flash-памяти с параллельным интерфейсом и емкостью 4 Мбит выполнены в компактном корпусе, обладают высокой скоростью работы, низким потреблением, и предназначены для ответственных NOR Flash приложений Компания ...
    New 4 Mbit (x16) Multipurpose Flash Plus Devices Deliver Low Power, Small Footprint, and Impressive Program and Erase Speed for Demanding NOR Flash Applications Microchip Technology Inc. , expanded its comprehensive Multi-Purpose Flash Plus (MPF+) ...
    Память » Microchip » SST39VF401C, SST39VF402C, SST39LF401C, SST39LF402C
    14-09-2012
  6. Разработанные Panasonic карты памяти серий SDAB и SDUB специально предназначены для особо надежных и прочных потребительских электронных устройств Новые карты памяти компании Panasonic по степени своей защищенности значительно превзошли ...
    There are rugged consumer electronics devices and components, and then there are the Panasonic UHS-I-level SDAB and SDUB series of SDHC and SDXC memory cards. Panasonic 's memory cards reach the upper limit of what is recommended for consumer and ...
    Память » Panasonic » RP-SDAB08GJK, RP-SDAB16GJK, RP-SDAB32GJK, RP-SDUB08GJK, RP-SDUB16GJK, RP-SDUB32GJK, RP-SDUB64GJK
    11-08-2012
  7. Представлены микросхемы последовательной энергонезависимой SRAM с батарейным резервным питанием в 8-ми выводных корпусах, не уступающие по характеристикам многовыводным параллельным SRAM Компания Microchip Technology расширила семейство микросхем ...
    Also Debuts Non-Volatile, Battery-Backed Serial SRAMs at Significantly Lower Cost Than Any Other Non-Volatile SRAM, FRAM or Parallel SRAM; Available in 8-pin Packages Microchip Technology expanded its serial SRAM portfolio with four new devices ...
    Память » Microchip » 23A1024, 23LC1024, 23A512, 23LC512, 23LCV512, 23LCV1024
    08-08-2012
  8. Samsung Electronics объявила о начале поставок первых в отрасли модулей памяти DDR4 емкостью 16 Гбайт четвертого поколения синхронной динамической регистровой памяти с удвоенной скоростью передачи данных, предназначенной, в первую очередь, для ...
    Samsung Electronics Co., Ltd. announced that it has begun sampling the industry's first 16-gigabyte (GB) double data rate-4 (DDR4), registered dual inline memory modules (RDIMMs), designed for use in enterprise server systems. Using 30nm-class ...
    02-08-2012
  9. Совместимые со всеми микроконтроллерами Atmel, новые микросхемы EEPROM с последовательным интерфейсом имеют уникальный 48- и 64-битный MAC/EUI адрес и 128-битный серийный номер, что позволит ускорить разработку и упростить массовый выпуск ...
    Compatible with All Atmel MCUs, New Serial EEPROM Devices with 48- and 64-Bit MAC/EUI and 128-Bit Pre-programmed Serial Numbers Help Designers Bring Internet-Connected Products to Market Faster and Simplify the Serialization of Mass Production ...
    Память » Atmel » AT24MAC, AT24CS
    31-07-2012
  10. На самых быстрых из когда-либо созданных картах памяти со скоростью чтения/записи 168 МБ/с можно запечатлеть любые моменты спортивных состязаний Объем и надежность новых карт памяти XQD S Series компании Sony оценят фотожурналисты, снимающие ...
    Fastest-ever memory card with 168MB/s read/write speed captures the fastest sporting action The new memory card XQD S Series from Sony offers the capacity and reliability that’s demanded by professional photo journalists covering sports and ...
    Память » Sony » XQD S Series 64GB, XQD S Series 32GB,
    06-07-2012
 Страницы:

DC/DC-преобразователи: принципы работы и уникальные решения Maxim
Срезы ↓
Закажи печатные платы, комплектующие получи бесплатно

Рейтинг@Mail.ru