LAPIS Semiconductor сообщила о разработке сегнетоэлектрического запоминающего устройства с произвольным доступом (FeRAM) емкостью 1 Мбит, предназначенного для таких приложений, как интеллектуальные приборы учета, средства измерений, медицинское ...
High-speed 40 MHz operation and wide voltage range from 1.8 to 3.6 V improve reliability in IoT equipment LAPIS Semiconductor has recently announced the development of 1 Mbit ferroelectric random access memory (FeRAM) designed for applications such ...
Everspin Technologies начала отгрузку основным потребителям пробных партий новых микросхем магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (ST-MRAM) емкостью 1 Гбит. Этот революционный продукт предназначен для создания ...
Everspin Technologies has begun sampling its new 1-Gigabit Spin Torque Magnetoresistive Random Access Memory (ST-MRAM) with lead customers. This breakthrough product delivers a high-endurance, persistent memory with a DDR4- compatible interface. ...
Специалисты холдинга Росэлектроника Госкорпорации Ростех разработали материалы для создания многослойных 3D-оптических носителей информации флуоресцентного типа, призванных заменить CD, DVD и BluRay. Носители информации, разработанные московским ...
Диапазон рабочих температур расширен до +105 С Подразделение решений для хранения данных и электронных устройств корпорации Toshiba объявило о выпуске устройств встроенной флеш-памяти NAND, соответствующих стандарту JEDEC e•MMC™ версии ...
Энергонезависимое ОЗУ на основе EERAM с интерфейсом I 2 C не требует внешней батареи для сохранения данных Недорогое и надежное решение для безопасного сохранения данных при потере питания теперь стало возможным благодаря компании Microchip ...
The I 2 C EERAM Memory is a Low-Cost NVSRAM that Eliminates the Need for an External Battery to Retain Data A new low-cost, low-risk memory solution offering unlimited endurance and safe data storage at power loss is now available from Microchip ...
Представлено первое в отрасли устройство DRAM с авторегенерацией и 12-проводным интерфейсом HyperBus, предназначенное для расширенных сверхоперативных ЗУ высокопроизводительных приложений Cypress Semiconductor анонсировала образцы новой ...
Provides the Industry’s First Self-refresh DRAM Device with the 12-Pin HyperBus™ Interface; Serves as Expanded Scratchpad Memory for High-Performance Applications Cypress Semiconductor announced sampling of a new high-speed, ...
В новом поколении BiCS FLASH компании Toshiba стало больше слоев и увеличился объем памяти Корпорация Toshiba представила последнее поколение своей трехмерной (3D) флэш-памяти BiCS FLASH со стековой структурой ячеек, объявив о начале поставок ...
New generation Toshiba BiCS FLASH adds layers, boosts capacity Toshiba Corporation unveiled the latest generation of its BiCS FLASH three-dimensional (3D) flash memory with a stacked cell structure, a 64-layer device that will be first in the world ...
В ультра миниатюрном корпусе радиационно-стойкого устройства управления питанием реализован полный набор необходимых функций Texas Instruments представила первый в отрасли линейный стабилизатор для согласования интерфейсов памяти с удвоенной ...
Radiation-hardened power-management device integrates comprehensive functionality in an ultra-small form factor Texas Instruments (TI) introduced the industry's first double-data-rate (DDR) memory linear regulator for space applications. The ...
Преодолев технические сложности масштабирования DRAM, Samsung первой в мире открывает дверь в мир DRAM класса 10 нм Samsung Electronics объявила о начале крупносерийного производства первых изделий с проектными нормами 10 нм 8-гигабитных микросхем ...
Opening the door to “10 nm-class DRAM” for the first time in the industry after overcoming technical challenges in DRAM scaling Samsung Electronics announced that it has begun mass producing the industry’s first 10-nanometer (nm) ...
Группа ученых из лаборатории топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ и МГУ предложила принципиально новый тип ячеек памяти на основе сверхпроводников такая память может работать в сотни раз быстрее, чем распространенные ...
