Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Память - 5

Подраздел: "Память"
Найдено: 149 Вывод: 41-50
  1. Память Cypress S27KL0641 S27KS0641
    Представлено первое в отрасли устройство DRAM с авторегенерацией и 12-проводным интерфейсом HyperBus, предназначенное для расширенных сверхоперативных ЗУ высокопроизводительных приложений Cypress Semiconductor анонсировала образцы новой ...
    Provides the Industry’s First Self-refresh DRAM Device with the 12-Pin HyperBus™ Interface; Serves as Expanded Scratchpad Memory for High-Performance Applications Cypress Semiconductor announced sampling of a new high-speed, ...
    13 сентября 2016
  2. В новом поколении BiCS FLASH компании Toshiba стало больше слоев и увеличился объем памяти Корпорация Toshiba представила последнее поколение своей трехмерной (3D) флэш-памяти BiCS FLASH со стековой структурой ячеек, объявив о начале поставок ...
    New generation Toshiba BiCS FLASH adds layers, boosts capacity Toshiba Corporation unveiled the latest generation of its BiCS FLASH three-dimensional (3D) flash memory with a stacked cell structure, a 64-layer device that will be first in the world ...
    9 августа 2016
  1. В ультра миниатюрном корпусе радиационно-стойкого устройства управления питанием реализован полный набор необходимых функций Texas Instruments представила первый в отрасли линейный стабилизатор для согласования интерфейсов памяти с удвоенной ...
    Radiation-hardened power-management device integrates comprehensive functionality in an ultra-small form factor Texas Instruments (TI) introduced the industry's first double-data-rate (DDR) memory linear regulator for space applications. The ...
    13 июля 2016
  2. Преодолев технические сложности масштабирования DRAM, Samsung первой в мире открывает дверь в мир DRAM класса 10 нм Samsung Electronics объявила о начале крупносерийного производства первых изделий с проектными нормами 10 нм 8-гигабитных микросхем ...
    Opening the door to “10 nm-class DRAM” for the first time in the industry after overcoming technical challenges in DRAM scaling Samsung Electronics announced that it has begun mass producing the industry’s first 10-nanometer (nm) ...
    22 июня 2016
  1. Группа ученых из лаборатории топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ и МГУ предложила принципиально новый тип ячеек памяти на основе сверхпроводников такая память может работать в сотни раз быстрее, чем распространенные ...
    24 марта 2016
  2. Семейство микросхем NOR Flash-памяти с интерфейсом SQI предназначенное для применения в автомобильной электронике, обладает усовершенствованным функционалом и низким энергопотреблением Компания Microchip анонсировала семейство микросхем NOR ...
    SST26VF SQI Family of Flash Products Now Available With Improved Functionality and Low Power Consumption Microchip Technology Inc. announced the introduction of automotive-grade NOR Flash products with wider voltage and a larger temperature range. ...
    10 февраля 2016
  3. Новое решение Samsung в области DRAM указывает на то, что TSV становится господствующей технологией в приложениях памяти большой емкости Компания Samsung анонсировала начало массового производства первых в отрасли 128-гигабайтных модулей памяти ...
    New Samsung DRAM Solution Signals TSV Technology is heading for Mainstream High-Capacity Memory Applications Samsung Electronics announced that it is mass producing the industry’s first “through silicon via” (TSV) double data ...
    10 декабря 2015
  4. Новое устройство емкостью 256 Мбит в корпусе с небольшим количеством выводов и полосой пропускания в режиме чтения до 333 МБ/c предназначена для широкого диапазона высокопроизводительных систем Компания Cypress Semiconductor расширила линейку ...
    New 256 Mb Device Delivers Up to 333 MBps of Read Bandwidth in a Low-Pin-Count Package; Addresses a Broad Range of the Highest-Performance Systems Cypress Semiconductor Corp. expanded its NOR HyperFlash product line with the qualification of a new ...
    13 августа 2015
  5. Инновационная трехмерная многоуровневая структура увеличивает объем и повышает технические характеристики микросхем флэш-памяти Toshiba America представила новое поколение флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ...
    Innovative 3D stacked structure boosts capacity and performance Toshiba America Electronic Components , Inc. unveiled the new generation of BiCS FLASH, a three-dimensional (3D) stacked cell structure flash memory. The new device is the world's ...
    12 августа 2015
  6. Память Atmel AT21CS01 AT21CS11
    Новому семейству однопроводных устройств памяти с оригинальной схемой паразитного питания и уникальным 64-битным серийным номером требуются лишь один вывод данных и один вывод земли Atmel начала производство инновационной микросхемы однопроводного ...
    With a Novel Parasitic Power Scheme, New Single-Wire Family Requires Just One Data and One Ground Pin Eliminating the Need for Power Source/ Vcc and Features Plug-and-Play 64-bit Serial Number for Identification Atmel Corporation launched the ...
    12 августа 2015
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка