Vishay Intertechnology представила новый универсальный 30-вольтовый n-канальный MOSFET, изготавливаемый по технологии TrenchFET пятого поколения и обеспечивающий повышенные значения плотности мощности и КПД как для изолированных, так и для ...
Vishay Intertechnology introduced a versatile new 30 V n-channel TrenchFET® Gen V power MOSFET that delivers increased power density and efficiency for both isolated and non-isolated topologies. Offered in the 3.3 mm by 3.3 mm thermally ...
Ключевым требованием для современной силовой электроники является высокий КПД. Поэтому Infineon Technologies представила новейшее семейство компактных изолированных драйверов затвора EiceDRIVER 2L-SRC Compact (1ED32xx). Семейство поставляется в ...
Highest efficiency is a key requirement for today’s power electronics. Therefore, Infineon Technologies introduces its latest isolated EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact (1ED32xx) gate driver family in a compact form factor. The gate driver ...
Силовые коммутаторы на основе широкозонного нитрида галлия (GaN) обеспечивают превосходный КПД и высокую частоту переключения, открывая новую эру в силовой электронике. Для поддержки разработчиков Infineon Technologies добавила к своему обширному ...
Power switches based on the wide bandgap (WBG) material gallium nitride (GaN) enable excellent efficiency and high switching frequency, starting a new era in power electronics. To support this development, Infineon Technologies adds the new ...
Чтобы упростить конструирование высокоэффективных преобразователей энергии мощностью до 200 Вт, STMicroelectronics (ST) выпустила силовые модули MasterGaN4 , объединив в них два симметричных 650-вольтовых мощных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора с ...
The STMicroelectronics MasterGaN4 power packages integrate two symmetrical 650 V gallium nitride (GaN) power transistors with 225 mΩ R DS(on) , alongside optimized gate drivers and circuit protection to simplify the design of high-efficiency ...
Устройства для приложений инфраструктуры облачных вычислений и графических карт в корпусе PowerPAK 5 мм × 6 мм, оснащенные встроенными мониторами тока и температуры Vishay Intertechnology представила девять новых 70-, 80- и 100-амперных ...
For Infrastructure, Cloud Computing, and Graphic Cards Applications, Devices Feature Integrated Current and Temperature Monitoring in PowerPAK® 5 mm × 6 mm Package Vishay Intertechnology introduced nine new 70 A, 80 A, and 100 A ...
Новый компактный SMD корпус TOLL помогает уменьшить размеры оборудования, а подключение истока по схеме Кельвина повышает КПД Toshiba Electronics Europe анонсировала пять 650-вольтовых MOSFET с суперпереходом в новых безвыводных корпусах для ...
The new compact SMD TOLL format helps reduce the size of equipment and the Kelvin source connection improves efficiency Toshiba Electronics Europe has announced five 650V superjunction power MOSFETs housed in the new compact SMD package in ...
Infineon представила транзисторы StrongIRFET 2 новое поколение силовых MOSFET с допустимыми напряжениями 80 В и 100 В. Благодаря широкой доступности у партнеров-дистрибьюторов и отличному соотношению цены и качества, у разработчиков не будет ...
Infineon Technologies has launched StrongIRFET™ 2 the new generation of power MOSFET technology in 80 V and 100 V. Featuring broad availability at distribution partners and excellent price/performance ratio make these right-fit products an ...
В компактном полумосте LFPAK56D, предназначенном для использования в трансмиссии, системах управления двигателем и DC/DC преобразователях, на 60% снижена паразитная индуктивность и улучшены тепловые характеристики Nexperia анонсировала серию ...
Space-saving LFPAK56D half-bridge offers 60% lower parasitic inductance and improved thermal performance for power train, motor control and DC/DC application Nexperia announced a series of half-bridge (high side low side) automotive MOSFETs ...
Превосходные коммутационные характеристики и повышенная надежность обеспечивают увеличение плотности мощности в различных сложных приложениях ON Semiconductor анонсировала новую линейку карбидокремниевых (SiC) MOSFET для ответственных приложений, ...
Superior switching and improved reliability deliver power density improvements in a variety of challenging applications ON Semiconductor has announced a new range of silicon carbide (SiC) MOSFET devices for demanding applications where power ...
Infineon Technologies представляет новую серию устройство в семействе SmartDriver. В компактном корпусе интеллектуального контроллера двигателей IMD110 объединены аппаратный движок iMOTION MCE (Motion Control Engine) и трехфазный драйвер затворов. ...
Infineon Technologies introduces the new IMD110 SmartDriver series. The smart motor controller family combines the iMOTION™ Motion Control Engine (MCE) with a three-phase gate driver in a compact package. The integrated gate driver is based ...
