Одиночный N-канальный 2,5 В МОП-транзистор PowerTrench 30 В, 5,0 А, 40 мОм Этот одиночный N-канальный МОП-транзистор был разработан с использованием усовершенствованной технологии Power Trench для оптимизации RDS(on) при VGS=2,5 В на специальной ...
Мощный МОП-транзистор 33 Ампер, 100 Вольт Этот силовой МОП-транзистор разработан для выдерживания высокой энергии в режимах лавинного пробоя и коммутации. Энергоэффективная конструкция также предлагает сток-истоковый диод с быстрым временем ...
Мощный МОП-транзистор 20 А, 200 Вольт Этот силовой МОП-транзистор разработан для выдерживания высокой энергии в режимах лавинного пробоя и коммутации. Энергоэффективная конструкция также предлагает сток-истоковый диод с быстрым временем ...
Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 20 В, 1,3 А, 0,21 Ом Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным логическим уровнем производятся с использованием запатентованной ON Semiconductor технологии DMOS с высокой ...
Одиночный P-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET -20 В, -2 А, 70 мОм Этот полевой МОП-транзистор с P-канальным логическим уровнем изготовлен с использованием усовершенствованного процесса Power Trench, который был специально разработан ...
N-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET 30 В, 1,4 А, 160 мОм Эти N-канальные МОП-транзисторы логического уровня производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench компании ON Semiconductor Semiconductor, который был ...
N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 100 В, 170 мА, 6 Ом Этот N-канальный полевой МОП-транзистор изготовлен с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот продукт был разработан для ...
TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate Этот усовершенствованный высоковольтный TMOS E-FET спроектирован так, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном режиме и эффективно переключаться. Это новое ...
Малый сигнальный МОП-транзистор 200 В, 250 мА, 10 Ом, одиночный N-канальный логический уровень TO-92 Этот МОП-транзистор предназначен для высоковольтных и высокоскоростных коммутационных приложений, таких как линейные драйверы, драйверы реле, ...
N-канальный цифровой полевой транзистор 25 В, 0,68 А, 0,45 Ом Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным режимом производятся с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с очень высокой плотностью ...
МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 15,6 мОм, TO247-4L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 12 мОм, TO247-4L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
