Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheets - Полевые транзисторы Infineon - 6

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производитель: "Infineon"
Найдено: 684 Вывод: 101-120

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet SPB80P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 80 А, TO-263
    Наименование модели: SPB80P06P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 80 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPB80P06P G SIPMOS ® Power-Transistor Features · Product Summary Drain source voltage ...
  2. Datasheet SPB18P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.7 А, TO-263
    Наименование модели: SPB18P06P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.7 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPB18P06P G SIPMOS Power-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.13 ...
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy
  1. Datasheet SPB11N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 11 А, D2PAK
    Наименование модели: SPB11N60C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 11 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPB11N60C3 Cool MOSTM Power Transistor Feature · New revolutionary high voltage ...
  2. Datasheet SPB08P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.8 А, TO-263
    Наименование модели: SPB08P06P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.8 А, TO-263 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPB08P06P G SIPMOS Power-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 ...
  1. Datasheet SPA16N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 560 В, 16 А, TO220FP
    Наименование модели: SPA16N50C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 560 В, 16 А, TO220FP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPP16N50C3 SPI16N50C3, SPA16N50C3 Cool MOSTM Power Transistor Feature · New ...
  2. Datasheet IPW65R080CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 700 В, 43.3 А, TO247
    Наименование модели: IPW65R080CFD Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 700 В, 43.3 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CFD 650V CoolMOSTM ...
  3. Datasheet IPW60R125CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 25 А, TO-247
    Наименование модели: IPW60R125CP Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 25 А, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 9?E-'@(),4? 4VVS=> A # : A 0 7LHZ[XLY V )DL: H ; G B > V 2 A 6 A
  4. Datasheet IPP60R099C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 37.9 А, TO220
    Наименование модели: IPP60R099C6 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 37.9 А, TO220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GIM@?N + =L D- PA 1 =E A F =;L2J FKKG 9 9 AL J !GGD+ - 1 ! 4 !G D - 1 Y ! . G G+ ...
  5. Datasheet IPP600N25N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO220-3
    Наименование модели: IPP600N25N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPB600N25N3 G IPP600N25N3 G IPI600N25N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · ...
  6. Datasheet IPP530N15N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 150 В, 21 А, TO220-3
    Наименование модели: IPP530N15N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 150 В, 21 А, TO220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: # ! ! # ! ! # ! ! # # ! ! %&$!# # : A 0< < & ,9=4 : < => 6LHZ[XLY R ( 4 92??6= ?@ ...
  7. Datasheet IPP320N20N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO220-3
    Наименование модели: IPP320N20N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPB320N20N3 G IPP320N20N3 G IPI320N20N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · ...
  8. Datasheet IPP200N25N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 64 А, TO220-3
    Наименование модели: IPP200N25N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 64 А, TO220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPB200N25N3 G IPP200N25N3 G IPI200N25N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · ...
  9. Datasheet IPP110N20N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 88 А, TO220-3
    Наименование модели: IPP110N20N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 88 А, TO220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPB107N20N3 G IPP110N20N3 G IPI110N20N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · ...
  10. Datasheet IPP041N12N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 120 А, TO220-3
    Наименование модели: IPP041N12N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 120 В, 120 А, TO220-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPI041N12N3 G IPP041N12N3 G IPB038N12N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · ...
  11. Datasheet IPP023NE7N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 75 В, 120 А, TO220
    Наименование модели: IPP023NE7N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 75 В, 120 А, TO220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: # # ! ! # ! ! %&$!# # : A 0< < & ,9=4 : < => 6LHZ[XLY Q ( @D J54 D 8> ? < 7I 6 B ...
  12. Datasheet IPD640N06L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 18 А, TO-252
    Наименование модели: IPD640N06L G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 18 А, TO-252 Спецификации: Continuous Drain Current Id: 18 А Drain Source Voltage Vds: 60 В On Resistance Rds(on): 0.047 Ом Rds(on) Test Voltage ...
  13. Datasheet IPD60R2K0C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 2.4 А, TO252-3
    Наименование модели: IPD60R2K0C6 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 2.4 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GHL@?M +
  14. Datasheet IPD60R1K4C6 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 3.2 А, TO252-3
    Наименование модели: IPD60R1K4C6 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 600 В, 3.2 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: GHL@?M +
  15. Datasheet IPD600N25N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO252-3
    Наименование модели: IPD600N25N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 250 В, 25 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPD600N25N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · N-channel, normal level · ...
  16. Datasheet IPD320N20N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO252-3
    Наименование модели: IPD320N20N3 G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 34 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IPD320N20N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Features · N-channel, normal level · ...

Сортировать по: релевантность / дата

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России