HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheets - Полевые транзисторы Infineon - 5

Подраздел: "Полевые транзисторы"
Производитель: "Infineon"
Найдено: 684 Вывод: 81-100

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet Infineon IRF8308MTRPBF
    Один N-канальный силовой МОП-транзистор N-канального типа на 30 В в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 27 А, оптимизированный с низким сопротивлением в открытом состоянии.
  2. Datasheet Infineon IRF8306MTRPBF
    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор N-канальный на 30 В и диод Шоттки в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 23 А, оптимизированный с низким сопротивлением во включенном состоянии
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов
  1. Datasheet Infineon IRF8304MTRPBF
    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 28 А, оптимизированный с низким сопротивлением в открытом состоянии.
  2. Datasheet Infineon IRF8302MTRPBF
    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В и диод Шоттки в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 31 А, оптимизированный с низким сопротивлением во включенном состоянии.
  1. Datasheet Infineon IRF8301MTRPBF
    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В в корпусе DirectFET MT, рассчитанный на ток 34 А, оптимизированный с низким сопротивлением в открытом состоянии.
  2. Datasheet Infineon IRLR3103
    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
  3. Datasheet Infineon IRLU3103
    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе I-Pak
  4. Datasheet Infineon IRLR3103TRLPBF
    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
  5. Datasheet Infineon IRLU3103PBF
    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе I-Pak
  6. Datasheet Infineon BSC093N04LS G
    Силовой транзистор OptiMOS 3
  7. Datasheet Infineon BSC067N06LS3 G
    Силовой транзистор OptiMOS 3
  8. Datasheet Infineon IRFP3703PBF
    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В в корпусе TO-247AC
  9. Datasheet SPP02N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 1.8 А, TO-220AB
    Наименование модели: SPP02N60C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 1.8 А, TO-220AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: P VDS · · · · · G Tjmax G Спецификации: Continuous Drain Current Id: 1.8 А Drain ...
  10. Datasheet SPD18P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.6 А, TO-252
    Наименование модели: SPD18P06P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.6 А, TO-252 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD18P06P G SIPMOS ® Power-Transistor Features · Product Summary Drain source voltage ...
  11. Datasheet SPD15P10PL G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3
    Наименование модели: SPD15P10PL G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD15P10PL G SIPMOS® Power-Transistor Features · P-Channel · Enhancement mode · ...
  12. Datasheet SPD15P10P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3
    Наименование модели: SPD15P10P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD15P10P G SIPMOS Small-Signal-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID ...
  13. Datasheet SPD08P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.83 А, DPAK
    Наименование модели: SPD08P06P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.83 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD08P06P G SIPMOS Power-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -8.8 ...
  14. Datasheet SPD04P10PL G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3
    Наименование модели: SPD04P10PL G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD04P10PL G SIPMOS Power-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 ...
  15. Datasheet SPD04N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 4.5 А, DPAK
    Наименование модели: SPD04N60C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 4.5 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: VDS · · · · · · G Tjmax G G G Спецификации: Continuous Drain Current Id: 4.5 А Drain ...
  16. Datasheet SPD03N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 3.2 А, DPAK
    Наименование модели: SPD03N60C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 3.2 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: VDS · · · · · · G Tjmax G G G Спецификации: Continuous Drain Current Id: 3.2 А Drain ...

Сортировать по: релевантность / дата

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России