Один N-канальный силовой МОП-транзистор N-канального типа на 30 В в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 27 А, оптимизированный с низким сопротивлением в открытом состоянии.
Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор N-канальный на 30 В и диод Шоттки в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 23 А, оптимизированный с низким сопротивлением во включенном состоянии
Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 28 А, оптимизированный с низким сопротивлением в открытом состоянии.
Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В и диод Шоттки в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 31 А, оптимизированный с низким сопротивлением во включенном состоянии.
Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В в корпусе DirectFET MT, рассчитанный на ток 34 А, оптимизированный с низким сопротивлением в открытом состоянии.
Наименование модели: SPP02N60C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 1.8 А, TO-220AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: P VDS · · · · · G Tjmax G Спецификации: Continuous Drain Current Id: 1.8 А Drain ...
Наименование модели: SPD18P06P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.6 А, TO-252 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD18P06P G SIPMOS ® Power-Transistor Features · Product Summary Drain source voltage ...
Наименование модели: SPD15P10P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD15P10P G SIPMOS Small-Signal-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID ...